Xactix X4 是科磊(KLA)的二氟化氙(XeF₂)蝕刻設備。蝕刻速率快,適合密集的研究開發與試產。
XeF₂ 對光阻、二氧化矽、氮化矽、鋁等幾乎所有標準半導體材料,都能以高選擇比蝕刻矽。易於使用、可靠度高且安全,被廣泛用作 MEMS 元件釋放用的 XeF₂ 蝕刻設備。
以專利的雙膨脹室設計,無需以載氣稀釋即可得到高 XeF₂ 氣體流量與壓力,達到高蝕刻速率。支援脈衝與連續流兩種蝕刻,腔體大小也可配合晶圓尺寸。
以 XeF₂(二氟化氙)選擇性蝕刻矽的 MEMS 釋放用設備。適用於研究開發・試產。
Xactix X4 是科磊(KLA)的二氟化氙(XeF₂)蝕刻設備。蝕刻速率快,適合密集的研究開發與試產。
XeF₂ 對光阻、二氧化矽、氮化矽、鋁等幾乎所有標準半導體材料,都能以高選擇比蝕刻矽。易於使用、可靠度高且安全,被廣泛用作 MEMS 元件釋放用的 XeF₂ 蝕刻設備。
以專利的雙膨脹室設計,無需以載氣稀釋即可得到高 XeF₂ 氣體流量與壓力,達到高蝕刻速率。支援脈衝與連續流兩種蝕刻,腔體大小也可配合晶圓尺寸。
| 方式 | XeF₂ 氣相蝕刻(脈衝・連續) |
|---|---|
| 特點 | 專利的雙膨脹室 |
| 主要用途 | MEMS 元件的釋放 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。