最後更新:2026年10月23日化合物半導體

CnCV的特點與規格

Onto Innovation・化合物半導體

不需製作測試元件,即可在晶圓狀態下評估 SiC・GaN 等寬能隙材料、不使用汞的 CV 量測設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

CnCV 是 Onto Innovation 在晶圓狀態下評估寬能隙(WBG)材料的設備。不需製作測試元件,可減少時間與成本。為取代汞探針 CV(MCV)的無汞方法,沒有汙染疑慮。

以新型定表面電位電暈充電,在廣泛電壓範圍內取得所需精度。專利的電荷輔助與光輔助模式,適合在 SiC、Ga₂O₃、GaN、AlGaN/GaN HEMT 等 WBG 材料與結構上兼顧速度與精度。

以使用 UV 輔助電暈電荷中和的強化動態 CV 模式,實現高產能與高精度,進行快速且確實的製程管理。也包含以電暈・克耳文法評估膜中絕緣膜與界面的電性。

主要規格

方式以定表面電位電暈充電進行 CV 量測(無汞)
對象SiC・Ga₂O₃・GaN・AlGaN/GaN HEMT
特點UV 輔助的動態 CV 模式

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

無汞 CV 量測
不需測試元件
支援 WBG 材料

主要用途

  • SiC・GaN 的摻雜評估
  • HEMT 結構的評估

製造商

Onto Innovation(總部:美國)

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資料來源

  1. Onto Innovation 官方產品頁面:Onto Innovation CnCV