最後更新:2026年10月23日光學關鍵尺寸量測設備(OCD)

Atlas V的特點與規格

Onto Innovation・光學關鍵尺寸量測設備(OCD)

由 DUV 穆勒矩陣橢圓偏光儀與垂直入射反射儀組成 2 通道架構的 OCD/膜厚量測設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Atlas V 是 Onto Innovation 的 OCD・薄膜量測設備。專為量產設計,可實現 FinFET 與 GAA 邏輯、DRAM、3D NAND 元件的製程控制。

結合最先進的光學設計與獨家的 Ai Diffract 建模引擎。光學系統採用 DUV 4×4 穆勒矩陣光譜橢圓偏光術,以及 DUV 偏振垂直入射反射儀(NIOCD)的 2 通道架構,藉由兩者合併的豐富資訊,以高精度、高產能進行 OCD 分析。

設計目標是量測最重要且困難的製程,包括 CD-SEM 等無法看見的埋入結構。能量測 GAA 邏輯元件中個別奈米線的尺寸是其獨有能力,為實現先進元件製程控制的技術。曾獲得 2022 年的 Best of West 獎。

主要規格

量測方式DUV 4×4 穆勒矩陣 SE+偏振垂直入射反射率
量測項目CD・埋入結構・GAA 的個別奈米線尺寸
相關機型Atlas G6(次世代機型)
主要用途GAA・3D NAND・DRAM 的製程管理

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

DUV 4×4 穆勒矩陣 SE+偏振垂直入射反射儀 2 通道
Ai Diffract 建模引擎
量測埋入結構・GAA 的奈米線尺寸

主要用途

  • 微影・蝕刻・CVD・CMP 製程的 OCD
  • 局部變異・非對稱性・薄膜・應力與翹曲的量測

製造商

Onto Innovation(總部:美國)

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資料來源

  1. Onto Innovation 官方產品頁面:Onto Innovation Atlas V