Aspect S 是 Onto Innovation 的線上、非破壞式模型式紅外反射率量測設備,可實現高深寬比結構、薄膜與磊晶結構的關鍵製程管理。
隨著高深寬比製程用於許多領域,監控碳膜硬遮罩與蝕刻後 3D 結構的尺寸與特性已成為必要。
以高產能、低持有成本、非接觸・非破壞的方式,量測積體電路製造中所用膜層與蝕刻結構的尺寸與均勻性。由於光斑小,也適合量測切割道上的標靶。
量測高深寬比結構・薄膜・磊晶結構的模型式紅外反射率量測設備。
Aspect S 是 Onto Innovation 的線上、非破壞式模型式紅外反射率量測設備,可實現高深寬比結構、薄膜與磊晶結構的關鍵製程管理。
隨著高深寬比製程用於許多領域,監控碳膜硬遮罩與蝕刻後 3D 結構的尺寸與特性已成為必要。
以高產能、低持有成本、非接觸・非破壞的方式,量測積體電路製造中所用膜層與蝕刻結構的尺寸與均勻性。由於光斑小,也適合量測切割道上的標靶。
| 方式 | 模型式紅外反射率量測・非破壞 |
|---|---|
| 量測 | 碳硬遮罩・蝕刻後 3D 結構的尺寸・均勻性 |
| 特點 | 以小光斑量測切割道上的標靶 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
Onto Innovation(總部:美國)