最後更新:2026年10月23日光學關鍵尺寸量測設備(OCD)

Aspect S的特點與規格

Onto Innovation・光學關鍵尺寸量測設備(OCD)

量測高深寬比結構・薄膜・磊晶結構的模型式紅外反射率量測設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Aspect S 是 Onto Innovation 的線上、非破壞式模型式紅外反射率量測設備,可實現高深寬比結構、薄膜與磊晶結構的關鍵製程管理。

隨著高深寬比製程用於許多領域,監控碳膜硬遮罩與蝕刻後 3D 結構的尺寸與特性已成為必要。

以高產能、低持有成本、非接觸・非破壞的方式,量測積體電路製造中所用膜層與蝕刻結構的尺寸與均勻性。由於光斑小,也適合量測切割道上的標靶。

主要規格

方式模型式紅外反射率量測・非破壞
量測碳硬遮罩・蝕刻後 3D 結構的尺寸・均勻性
特點以小光斑量測切割道上的標靶

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

模型式紅外反射率
碳硬遮罩的量測
小光斑

主要用途

  • HAR 結構・硬遮罩的量測
  • 磊晶結構的量測

製造商

Onto Innovation(總部:美國)

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資料來源

  1. Onto Innovation 官方產品頁面:Onto Innovation Aspect S