FAaST Digital SPVとは
FAaST Digital SPV は、Onto Innovation のシリコン中の汚染をウェーハ全面で画像化する装置です。非接触で試料作製も要らず、速く測れます。
拡散長と鉄（Fe）濃度の高解像度のマップを数分で作り、E7 cm⁻³ の範囲に達する Fe 汚染の管理で業界標準の精度と感度を持ちます。
金属汚染は、集積回路の重要なゲート酸化膜の健全性に悪影響を与えます。高温の工程で、シリコンウェーハ中の汚染は Si／絶縁膜の界面に析出したり絶縁膜に偏析したりして、デバイスの早期故障や歩留まり低下の原因になります。微細化で汚染の許容量は小さくなっています。
主な特長
- •ウェーハ全面の汚染マップ
- •Fe 汚染を E7 cm⁻³ まで測定
- •数分で測定
主な仕様
| 方式 | デジタル表面光起電力（SPV）・非接触 |
|---|---|
| 測定項目 | 拡散長・鉄（Fe）濃度のマップ |
| 感度 | Fe 汚染で E7 cm⁻³ の範囲 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | アルバック・ファイPHI nanoTOF 3+ | 島津製作所ICPMS-2050 | Onto InnovationFAaST® Digital SPV |
|---|---|---|---|
| 分析手法 | TOF-SIMS（飛行時間型二次イオン質量分析） | ICP-MS（誘導結合プラズマ質量分析） | — |
| 分析対象 | 表面の有機・無機汚染（微小部） | 液体中の微量無機元素 | — |
| 特徴 | 空間分解能 50 nm（高空間分解能モード）・全自動分析 | 独自トーチで従来機比約 2 倍の感度・Ar 消費量約 2/3 | — |
| 主要用途 | 半導体・電池材料の表面汚染・組成分析 | 薬液・超純水中の金属不純物分析 | — |
1機種だけが掲載している項目（3件）
| 方式 | — | — | デジタル表面光起電力（SPV）・非接触 |
|---|---|---|---|
| 測定項目 | — | — | 拡散長・鉄（Fe）濃度のマップ |
| 感度 | — | — | Fe 汚染で E7 cm⁻³ の範囲 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •金属汚染の管理
- •熱処理工程の汚染監視
掲載カテゴリ
FAaST Digital SPVは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Onto Innovation
Rudolph Technologies と Nanometrics の統合で誕生した検査・計測メーカー。光学検査、膜厚計測、先端パッケージング計測に強み。
異物・汚染分析装置のほかの製品
Onto Innovationのほかの製品
Dragonfly® G3（ウェハ検査装置）NSX® 330（マクロ検査装置）Iris™ G2（膜厚計測装置）Atlas® V（光学式寸法測定装置（OCD））PrimaScan™（異物・パーティクル検査装置）PrimaScan™ P（ウェハレベルパッケージング）IVS 380（オーバーレイ計測装置）IVS 280（オーバーレイ計測装置）Celero™ PL（結晶欠陥検査装置）PrecisionWoRx® VX4（プローブカード）F30™（マクロ検査装置）Atlas® G6（光学式寸法測定装置（OCD））Atlas® III+（光学式寸法測定装置（OCD））JetStep® X500（i線ステッパー）JetStep® S3500（i線ステッパー）IMPULSE®+（膜厚計測装置）IMPULSE® V（膜厚計測装置）Echo™（膜厚計測装置）NovusEdge® G2（ウェハ基板検査装置）FAaST® CV/IV（膜組成分析装置（XRF/FTIR））CnCV®（化合物半導体）Element™ S（膜組成分析装置（XRF/FTIR））Element™ G2（膜組成分析装置（XRF/FTIR））Aspect®（光学式寸法測定装置（OCD））Aspect® S（光学式寸法測定装置（OCD））Iris™ S（膜厚計測装置）Dragonfly® G5（ウェハレベルパッケージング）Firefly® G5（ウェハレベルパッケージング）EB40™（マクロ検査装置）
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07