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インターポーザー実装装置メーカー5社

インターポーザー実装装置とは、2.5D/3D IC構成において複数のチップ（ダイ）を単一の中間基板（インターポーザー）上に横並びで実装・接続する先端パッケージング装置です。シリコンインターポーザー・ガラスインターポーザー・有機インターポーザーなど基板種別が多様で、チップ間の配線密度・信号遅延・コストのトレードオフを決定します。AI GPU＋HBMをCoWoS（Chip on Wafer on Substrate）で実装するTSMC方式が代表例です。

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主要特徴

インターポーザー＝複数ダイを搭載する中間基板。2.5D実装の中核コンポーネント

シリコンインターポーザー（CoWoS-S）：高配線密度・TSV使用・高コスト

ガラスインターポーザー：シリコン代替として注目—低コスト・低誘電率・大面積対応

有機インターポーザー（CoWoS-R等）：コスト削減版。配線密度はSi比で低下

主要採用例：NVIDIA H100/H200/B100（CoWoS-S）・AMD MI300X・Intel Ponte Vecchio

よくある質問

インターポーザーとは何ですか？（半導体）▾

インターポーザー（Interposer）とは、複数のチップ（ダイ）と外部基板（パッケージ基板）の間に配置する中間接続層です。チップ間の配線ピッチが外部基板より細かいため、ピッチ変換・高密度配線・熱管理を担います。シリコン・ガラス・有機材料などで作られ、複数のチップを1パッケージに集積する2.5D/3D IC実装の基盤となります。

CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）とは何ですか？▾

CoWoSはTSMCが開発した2.5D先端パッケージング技術です。シリコンインターポーザー（ウェハ）上にロジックチップとHBMを並べて実装（Chip on Wafer）し、さらにパッケージ基板に搭載（on Substrate）します。シリコンインターポーザー内の微細配線でロジック・HBM間を高帯域幅接続し、NVIDIA AI GPUなどに採用されています。

シリコンインターポーザーとガラスインターポーザーの違いは何ですか？▾

シリコンインターポーザーは配線ピッチが数μmと極めて微細でTSVによる高密度接続が可能ですが、製造コストが高いです。ガラスインターポーザーはシリコンより低コスト・低誘電率（高周波特性に優れる）で大面積化が容易ですが、貫通孔（TGV）の加工精度でシリコンに劣ります。AMDやIntelはガラスインターポーザーの採用を検討中です。

インターポーザー実装の主要メーカーはどこですか？▾

CoWoSなどのインターポーザー実装はTSMCが独走しており、高性能AIチップの大半を受託しています。OSAT（外部パッケージング業者）ではASEグループ・Amkorがパッケージング工程を担います。装置面ではフリップチップボンダー（Besi・ASMPTなど）・リフロー装置（Heller Industries等）・検査装置が主要装置となります。