HBM（高帯域幅メモリ）メーカー6社
HBM（High Bandwidth Memory：高帯域幅メモリ）は、複数のDRAMダイとロジック/ベースダイをTSV（貫通シリコン電極）で垂直に積層した3D積層メモリパッケージです。通常のDDR5比で5〜10倍以上のメモリ帯域幅を実現し、AI GPU・HPC・グラフィックス向けプロセッサの隣にCoWoSやFoCoSなどの2.5D実装で搭載されます。SK Hynix・Samsung・Micronが主要メーカーで、HBM3EおよびHBM4が次世代標準となっています。
主要特徴
よくある質問
HBM（High Bandwidth Memory）とは何ですか？▾
HBM3とHBM3Eの違いは何ですか？▾
HBMの製造で最も難しい工程は何ですか？▾
スペック比較
このページの機種は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の機種どうしを比較してください。
| 種類 | メーカー | 型番 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| 積層ボンディング | ASMPT | FIREBIRD TCB | HBM・TSV 付きメモリの積層 |
| Besi | 9800 TC next | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） | |
| ハンミ半導体（Hanmi Semiconductor） | TC BONDER 4.5 GRIFFIN | HBM の DRAM 積層 | |
| 仮接合・剥離 | EV Group | EVG®850 TB（仮接合） | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
| EV Group | EVG®850 DB（剥離） | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
積層ボンディング：3機種の比較
| 項目 | ASMPTFIREBIRD TCB | Besi9800 TC next | ハンミ半導体（Hanmi Semiconductor）TC BONDER 4.5 GRIFFIN |
|---|---|---|---|
| 主要用途 | HBM・TSV 付きメモリの積層 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） | HBM の DRAM 積層 |
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） | 熱圧着（TCB） | — |
| 搭載精度 | ±2.0 µm | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） | — |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 実績 | 量産で 250 台以上の稼働実績 | — | — |
|---|---|---|---|
| 接合荷重 | — | 最大 500 N（1 kN オプション） | — |
| 処理能力 | — | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） | — |
| 対応ダイサイズ | — | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm | — |
| 方式 | — | — | 熱圧着（TC）ボンディング |
| 製品区分 | — | — | HBM TC BONDER |
仮接合・剥離：2機種の比較
| 項目 | EV GroupEVG®850 TB（仮接合） | EV GroupEVG®850 DB（剥離） |
|---|---|---|
| 工程 | 仮接合（接着剤塗布〜接合） | 剥離・洗浄 |
| 対応材料 | スピンコート熱可塑性・熱硬化性接着剤・テープ | スライドオフ／UV レーザー／IR LayerRelease 方式 |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | ±2.0 µm |
| 実績 | 量産で 250 台以上の稼働実績 |
| 主要用途 | HBM・TSV 付きメモリの積層 |
| 接合方式 | 熱圧着（TCB） |
| 搭載精度 | X・Y 0.5 µm @3σ（最悪コーナー 0.8 µm @3σ） |
| 接合荷重 | 最大 500 N（1 kN オプション） |
| 処理能力 | 最大 2,500 UPH（接合時間 1 秒の場合） |
| 対応ダイサイズ | 0.3 × 0.3 mm ～ 70 × 70 mm |
| 主要用途 | 高密度インターコネクトの先端パッケージ（ダイ積層） |
| 工程 | 仮接合（接着剤塗布〜接合） |
| 対応材料 | スピンコート熱可塑性・熱硬化性接着剤・テープ |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
| 工程 | 剥離・洗浄 |
| 対応材料 | スライドオフ／UV レーザー／IR LayerRelease 方式 |
| 主要用途 | HBM・3D DRAM の薄ウェーハ加工 |
TC BONDER 4.5 GRIFFIN
ハンミ半導体の HBM TC ボンダーのラインアップに属する熱圧着ボンダー。HBM の DRAM チップ積層に使う。
| 方式 | 熱圧着（TC）ボンディング |
| 製品区分 | HBM TC BONDER |
| 主要用途 | HBM の DRAM 積層 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。
- •ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
- •ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
SMT（表面実装技術）と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的なソリューションを提供。
- •SMTおよび半導体パッケージング装置における総合力
- •先端パッケージング技術（チップレット、ウェーハレベルパッケージング）
オーストリアを拠点とするウェーハボンディングおよびリソグラフィ装置の世界的リーダー。先端パッケージングおよびMEMS製造に強み。
- •ウェーハボンディング技術における世界トップシェア
- •2.5D/3Dパッケージング向けソリューション
ドイツを拠点とする半導体製造装置メーカー。ウェーハレベルパッケージングおよび先端リソグラフィ技術のスペシャリスト。
- •ウェーハレベルパッケージング装置における専門性
- •マスクアライナーおよび基板ボンディング技術
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
韓国・仁川に本社を置く半導体後工程装置メーカー。HBM 向けの TC ボンダー（熱圧着ボンダー）を主力とし、2.5D パッケージ向け TC ボンダー、フリップチップボンダー、ビジョンプレースメント、パッケージ切断用の micro SAW、EMI シールド関連装置、レーザー装置も手掛ける。
- •HBM 向け TC ボンダーの製品群（TC BONDER 4.5 GRIFFIN など）
- •2.5D パッケージ向けの TC ボンダーも展開
同じ分野の装置カテゴリ
チップレット実装装置とは、機能別に分割・個別製造した複数の小型チップ（チップレット）を1つのパッケージに統合する先端パッケージング装置です。
メーカー 4 社ガラスコア基板・TGV加工装置ガラスコア基板・TGV加工装置は、パッケージ基板の芯材（コア）を有機樹脂からガラスに置き換えるために、ガラスに貫通ビア（TGV）やキャビティを形成し、めっき・配線・検査を行う装置群です。
メーカー 3 社ハイブリッドボンディング装置ハイブリッドボンディング装置とは、Cu-Cuの直接金属接合と酸化膜の直接接合を同時に行う先端パッケージング装置です。
メーカー 7 社インターポーザー実装装置インターポーザー実装装置とは、2.5D/3D IC構成において複数のチップ（ダイ）を単一の中間基板（インターポーザー）上に横並びで実装・接続する先端パッケージング装置です。
メーカー 5 社パネルレベルパッケージ（FOPLP）装置パネルレベルパッケージ（PLP・FOPLP）装置は、丸いウェーハの代わりに515×510mmや600×600mmといった四角い大型パネルの上で、チップの再配置・モールド・再配線層（RDL）形成・バンプ形成を行うための装置群です。
メーカー 5 社TSV形成装置TSV（Through Silicon Via）形成装置とは、シリコンウェハを垂直に貫通する微細な孔（ビア）を形成し、銅（Cu）を埋め込んで積層チップ間を直接電気接続する先端パッケージング技術の装置群です。
メーカー 8 社