TSV形成装置メーカー8社
TSV（Through Silicon Via）形成装置とは、シリコンウェハを垂直に貫通する微細な孔（ビア）を形成し、銅（Cu）を埋め込んで積層チップ間を直接電気接続する先端パッケージング技術の装置群です。ビア径は1〜10μm、深さ20〜100μm以上に及び、ドライエッチング・CVD・電解銅めっきなど複数の工程で構成されます。HBMメモリの積層・3D IC・CoWoSインターポーザーの基幹技術として、AI/データセンター向け半導体の帯域幅向上に直結します。
主要特徴
よくある質問
TSV（シリコン貫通電極）とは何ですか？▾
TSVはHBMにどう使われますか？▾
TSV形成にはどんな装置が必要ですか？▾
TSV形成装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
TSV エッチング：3機種の比較
| 項目 | Lam ResearchSyndion® 製品ファミリー | Applied MaterialsCentura® Silvia™ Etch | SPPテクノロジーズASE-Pegasus |
|---|---|---|---|
| エッチング方式 | シリコン深掘り（高速ガス切替・TCP プラズマ源） | シリコン／酸化膜エッチング（同一チャンバー） | シリコン深掘り（ボッシュプロセス） |
| 主要用途 | 積層メモリ・3D IC の TSV 形成、CIS | ビアファースト／ビアラストの TSV 形成 | MEMS・半導体のシリコン深掘り（TSV 含む） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（2300 Syndion） | 300 mm | — |
| 項目 | Applied MaterialsProducer™ Avila™ 2 PECVD | Applied MaterialsEndura® Ventura® PVD | Applied MaterialsProducer® Avila™ PECVD | Applied MaterialsProducer® InVia® CVD | 荏原製作所UFP600AS型 | 東京エレクトロン（TEL）Synapse™ V／Synapse™ Z Plus | KLASPTS Osprey® PECVD | レーザーテックVIANCA シリーズ | レーザーテックBGM300 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | PECVD（200℃ 未満の低温処理） | PVD（TSV 専用） | PECVD（能動冷却で最低 100℃） | CVD（TSV 絶縁ライナー） | 電解めっき（高速パドル方式） | — | PECVD（最低 110℃） | 独自光学系による深さ測定 | 独自干渉計＋IR 光学系 |
| 特徴 | ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応 | 量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現 | — | — | 薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム | 50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus） | — | — | — |
| 主要用途 | TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜 | — | — | — | バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト | — | TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合 | ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ | — |
| 対象 | — | アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ | — | — | — | — | — | 高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV） | — |
| 膜種 | — | — | 酸化膜・窒化膜 | — | — | — | SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など | — | — |
| 対応基板 | — | — | — | — | パッケージ用角基板（パネル） | — | — | — | Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ） |
1機種だけが掲載している項目（6件）
| 構成 | — | — | Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚） | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 膜厚 | — | — | — | 200nm〜1µm | — | — | — | — | — |
| 対応アスペクト比 | — | — | — | 6:1〜16:1 | — | — | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | — | — | 300 mm | — | — | — |
| 仮接合精度 | — | — | — | — | — | 接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V） | — | — | — |
| 装置サイズ | — | — | — | — | — | — | — | — | 1,450 × 2,650 × 1,885 mm |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Syndion® 製品ファミリー
Lam Research のシリコン深掘りエッチング装置。高速なガス切替で、大口径・低アスペクト比から小口径・高アスペクト比まで深さと CD の均一性を確保する。
| エッチング方式 | シリコン深掘り（高速ガス切替・TCP プラズマ源） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm（2300 Syndion） |
| 主要用途 | 積層メモリ・3D IC の TSV 形成、CIS |
Centura® Silvia™ Etch
TSV 用に設計されたエッチング装置。シリコンと酸化膜を同じチャンバーでエッチングでき、ビアファースト・ビアラストの両方に対応する。
| エッチング方式 | シリコン／酸化膜エッチング（同一チャンバー） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 主要用途 | ビアファースト／ビアラストの TSV 形成 |
Producer™ Avila™ 2 PECVD
TSV のビア露出工程向けの次世代 PECVD。200℃ 未満の均一な低温処理とウェーハ反りの補正で、HBM などの 3D 積層を支える。
| 方式 | PECVD（200℃ 未満の低温処理） |
| 特徴 | ウェーハ反り（ボウ）補正の強化・Si／ガラスの支持基板に対応 |
| 主要用途 | TSV ビア露出・HBM・ハイブリッドボンディング用絶縁膜 |
| 方式 | PVD（TSV 専用） |
| 対象 | アスペクト比 10:1 以上の TSV・2.5D インターポーザ |
| 特徴 | 量産に使える Ti バリア成膜を TSV で初めて実現 |
| 方式 | PECVD（能動冷却で最低 100℃） |
| 膜種 | 酸化膜・窒化膜 |
| 構成 | Twin Chamber の Producer GT（同時に最大 6 枚） |
| 方式 | CVD（TSV 絶縁ライナー） |
| 膜厚 | 200nm〜1µm |
| 対応アスペクト比 | 6:1〜16:1 |
| エッチング方式 | シリコン深掘り（ボッシュプロセス） |
| 主要用途 | MEMS・半導体のシリコン深掘り（TSV 含む） |
| 対応基板 | パッケージ用角基板（パネル） |
| 方式 | 電解めっき（高速パドル方式） |
| 特徴 | 薄いシード層・多様な基板に対応、フレキシブルなプラットフォーム |
| 主要用途 | バンプ・ピラー・再配線・貫通ビア・ファンアウト |
Synapse™ V／Synapse™ Z Plus
TSV 工程のウェーハ仮接合（Synapse V）と剥離・洗浄（Synapse Z Plus）を行う TEL のボンダー／デボンダー。
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 仮接合精度 | 接着剤厚の TTV 5% 未満（Synapse V） |
| 特徴 | 50µm 以下の薄ウェーハに対応（Synapse Z Plus） |
| 方式 | PECVD（最低 110℃） |
| 膜種 | SiN・SiO・TEOS SiO・SiCN など |
| 主要用途 | TSV ライナー・ビア露出パッシベーション・ハイブリッド接合 |
| 方式 | 独自光学系による深さ測定 |
| 対象 | 高アスペクト比・小径ビア（次世代 TSV） |
| 主要用途 | ビアエッチング後の深さ・Cu リセス量・バンプ高さ |
| 方式 | 独自干渉計＋IR 光学系 |
| 対応基板 | Φ300mm（TSV・BSI 貼り合わせウェーハ） |
| 装置サイズ | 1,450 × 2,650 × 1,885 mm |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
8社の主要メーカー
エッチング装置の世界的リーダー。約39%の市場シェアを持ち、原子層エッチング（ALE）技術で先端3Dチップアーキテクチャを支える。
- •エッチング装置で世界シェア約39%のトップポジション
- •原子層エッチング（ALE）技術における技術リーダーシップ
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
「切る・削る・磨く」技術の世界的リーダー。ダイシングソー、グラインダで市場トップシェアを持ち、超薄ウェーハ加工の完全ソリューションを提供。
- •ダイシングソー、グラインダで世界トップシェア
- •超薄ウェーハ加工の完全ソリューション
CMP（化学機械研磨）装置と半導体製造用真空ポンプ・除害装置の大手。ポンプ・精密機械・環境事業を軸に、半導体製造インフラを幅広く支える。
- •CMPシステムで世界シェア上位。前工程の平坦化プロセスに不可欠
- •ドライ真空ポンプ・スクラバーでクリーンルームの排気・除害を担う
住友精密工業から分社した装置メーカー。シリコン深掘りエッチング装置（DRIE）とプラズマCVD装置を主力とし、MEMS・パワーデバイス・TSV形成など高アスペクト比加工の用途に強い。
- •シリコン深掘りエッチング（DRIE）の専業メーカー
- •MEMS・TSVなど高アスペクト比加工の実績
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
半導体検査・計測装置の世界的リーダー。AI駆動の欠陥検出と先進データ分析により、歩留まり向上とプロセス開発を加速。
- •検査・計測装置における世界的リーダー
- •AI・データ分析を統合した先端プロセスコントロール
EUVマスク欠陥検査装置で世界唯一のサプライヤー。半導体・FPD向け検査・計測装置の専業メーカーとして、マスク検査（MATRICS/MAGICS）・ウェーハ検査・膜厚計測装置を展開。
- •EUVマスク欠陥検査装置（MATRICS）で世界シェア100%の独占供給
- •ArF/EUV向けマスクブランクス検査（MAGICS）でも業界標準機を提供
同じ分野の装置カテゴリ
チップレット実装装置とは、機能別に分割・個別製造した複数の小型チップ（チップレット）を1つのパッケージに統合する先端パッケージング装置です。
メーカー 4 社ガラスコア基板・TGV加工装置ガラスコア基板・TGV加工装置は、パッケージ基板の芯材（コア）を有機樹脂からガラスに置き換えるために、ガラスに貫通ビア（TGV）やキャビティを形成し、めっき・配線・検査を行う装置群です。
メーカー 3 社HBM（高帯域幅メモリ）HBM（High Bandwidth Memory：高帯域幅メモリ）は、複数のDRAMダイとロジック/ベースダイをTSV（貫通シリコン電極）で垂直に積層した3D積層メモリパッケージです。
メーカー 6 社ハイブリッドボンディング装置ハイブリッドボンディング装置とは、Cu-Cuの直接金属接合と酸化膜の直接接合を同時に行う先端パッケージング装置です。
メーカー 7 社インターポーザー実装装置インターポーザー実装装置とは、2.5D/3D IC構成において複数のチップ（ダイ）を単一の中間基板（インターポーザー）上に横並びで実装・接続する先端パッケージング装置です。
メーカー 5 社パネルレベルパッケージ（FOPLP）装置パネルレベルパッケージ（PLP・FOPLP）装置は、丸いウェーハの代わりに515×510mmや600×600mmといった四角い大型パネルの上で、チップの再配置・モールド・再配線層（RDL）形成・バンプ形成を行うための装置群です。
メーカー 5 社