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封止装置(モールディング)メーカー3

封止装置(モールディング装置)は、チップ(ダイ)をエポキシ樹脂(EMC:エポキシモールドコンパウンド)で覆い、外部環境(湿気・機械的衝撃・熱)から保護する後工程の基幹装置です。トランスファーモールド(最も一般的、金型にEMCを注入)とコンプレッションモールド(薄型・大面積パッケージに適用)の2方式が主流です。スマートフォン・IoT向けパッケージの薄型化や、大面積ウェハレベルパッケージング(FOWLP/FOPLP)への対応のため、コンプレッションモールドの採用が増加しています。EMCの選定(線膨張係数・硬化特性・低応力性)と金型精度が最終パッケージの信頼性と寸法精度を決定します。

メーカー 3関連カテゴリ 6

メーカー

3社の主要メーカー

Besiオランダ

オランダを拠点とする半導体組立装置の世界的リーダー。ダイアタッチ装置で42%の市場シェアを持ち、ハイブリッドボンディング技術で業界をリード。

ダイボンディング装置
シングルチップ・マルチチップボンダーハイブリッドボンディングシステムFOWLP装置
パッケージング装置
モールディングシステムトリム&フォーム装置
  • ダイアタッチ装置で世界シェア42%のトップポジション
  • ハイブリッドボンディング装置における技術的優位性
ASMPT香港

SMT(表面実装技術)と半導体パッケージング装置の世界的メーカー。先端パッケージングからSMT製造まで包括的なソリューションを提供。

ダイボンディング装置
NUCLEUS系列AMICRA系列
ワイヤーボンディング装置
自動ワイヤーボンダー
レーザー加工装置
レーザーダイシング装置
  • SMTおよび半導体パッケージング装置における総合力
  • 先端パッケージング技術(チップレット、ウェーハレベルパッケージング)
Nordson米国

精密ディスペンシング・封止・接合・検査装置の総合メーカー。半導体後工程のフラックス塗布、ポッティング、AOI検査システムを展開。

ディスペンシング装置
フラックスジェットアンダーフィルシステム
検査装置
X線検査システムAOI
  • 半導体封止・接着剤ディスペンシング装置のグローバルリーダー
  • ASYMTEK部門によるフラックスジェット・アンダーフィル技術

関連カテゴリ

ダイボンダー
フリップチップボンダー
アンダーフィル装置
ウェハレベルパッケージング
ウェハマウンタ
ワイヤボンダー

関連用語

先端パッケージングとは →ダイボンダーとは →ワイヤボンダーとは →フリップチップとは →WLCSP(ウェハレベルチップスケールパッケージ)とは →QFP(クアッドフラットパッケージ)とは →QFNパッケージとは →BGA(ボールグリッドアレイ)とは →リードフレームとは →ボールボンディングとは →ウェッジボンディングとは →ダイボンディング(ダイアタッチ)とは →

比較・違いを学ぶ

TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ
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