MOCVD装置メーカー5社
MOCVD装置（有機金属気相成長）は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。GaN系のLED・パワーデバイス・高周波デバイスや、GaAs系の光デバイスの量産に広く使われます。多数枚を同時処理でき成長速度も速いためMBEより量産に適し、膜厚と組成の面内均一性を決めるサセプタ回転機構とガス流制御が装置の要になります。
主要特徴
よくある質問
MOCVDとMBEはどう使い分けますか？▾
メーカー
5社の主要メーカー
MOCVD・CVD装置の世界的リーダー。GaN LED・SiCエピタキシー・III-V族化合物半導体デバイスの量産に不可欠なエピタキシャル成長装置を提供する。
- •MOCVD装置で世界トップシェア（GaN LED・GaN HEMT）
- •SiC・InP・GaAsなど化合物半導体の幅広いプロセスに対応
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。
- •MOCVD装置でグローバルトップシェア
- •MBE・ALDを含む多様な薄膜成長技術ポートフォリオ
日本最大の産業ガスメーカー（三菱ケミカルグループ傘下）。半導体向け超高純度特殊ガス（SiH₄・HF・BF₃・Cl₂等）・超純液体窒素・液体ヘリウムを供給。世界20カ国以上に特殊ガス製造・供給拠点を持つ。
- •半導体向け特殊ガスで日本最大のサプライヤー
- •超高純度ガス（Grade 6N以上）の製造・分析技術
韓国発のCVD・ALD・ドライエッチング装置の総合メーカー。メモリ半導体・ディスプレイ向けの成膜・エッチング装置を中心に、韓国半導体産業の成長を支えてきた。
- •CVD/ALD/エッチングを総合展開
- •メモリ半導体向けに豊富な導入実績
中国を代表するエッチング装置・MOCVD装置メーカー。ICP・CCP方式のドライエッチング装置でTSMC・UMCなどへの採用実績を持ち、MOCVD装置でも国際競争力を高めている。
- •先端ノード対応エッチング装置（ICP・CCP方式）
- •TSMC・UMC等への採用実績あり
関連カテゴリ
ALD装置（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）は、原子層単位で薄膜を精密成膜できる最先端の成膜装置です。
メーカー 6 社CVD装置CVD装置（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）は、原料ガスの化学反応によりウェハ表面に高品質な薄膜を形成する成膜装置です。
メーカー 11 社めっき装置（電解銅めっき）めっき装置（電解銅めっき／ECD）は、めっき液中で電流を流し、ビアやトレンチの内部に銅を析出させて配線を形成する装置です。
メーカー 3 社エピタキシャル成長装置エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。
メーカー 4 社LPCVD（低圧CVD）LPCVD装置（減圧CVD）は、数十〜数百Paの減圧下で熱分解反応により膜を堆積させる化学気相成長装置です。
メーカー 7 社MBE装置（分子線エピタキシー）MBE装置（分子線エピタキシー）は、超高真空中で原料元素を加熱蒸発させ、分子線として基板へ到達させることで1原子層単位の結晶成長を行う成膜装置です。
メーカー 4 社PECVD（プラズマCVD）PECVD装置（プラズマCVD）は、プラズマで原料ガスを分解し、熱だけでは進まない成膜反応を低温で進める化学気相成長装置です。
メーカー 8 社PVD装置PVD装置（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）は、真空中でターゲット材料を蒸発・スパッタリングしてウェハ表面に堆積させる成膜装置です。
メーカー 5 社スパッタリング装置スパッタリング装置は、真空中でアルゴンイオンをターゲットに衝突させ、弾き出された原子をウェハ表面へ堆積させるPVD装置です。
メーカー 4 社真空蒸着装置真空蒸着装置は、高真空中で材料を加熱蒸発させ、蒸気を基板上で凝縮させて膜を作るPVD装置です。
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