Propel® GaN MOCVD
Veeco の枚葉式 GaN MOCVD 装置。パワー・5G RF・フォトニクス向けで、300mm 対応の全自動クラスター機もある。
Propel GaN MOCVDとは
Propel は、Veeco の GaN（窒化ガリウム）系 MOCVD 装置のシリーズです。枚葉式のリアクター技術を使い、パワー、5G RF、フォトニクス向けの GaN デバイスのエピタキシャル成長を行います。
量産向けの Propel HVM、300mm 基板を扱う全自動の枚葉クラスター機 Propel 300mm、研究開発と少量生産向けの柔軟な GaN 系システムがラインアップされています。300mm 機は 5G RF、フォトニクス、先端 CMOS デバイスを対象としています。
Veeco は GaN 系の Propel のほか、As／P 系エピタキシー向けに独自の TurboDisc リアクター技術を使う Lumina／Lumina+、LED 生産向けの EPIK 868 も展開しており、ディスプレイ、3D センシング、LiDAR、マイクロ LED、光通信などの用途をカバーしています。
主な特長
- •枚葉式リアクター技術による GaN エピタキシー
- •量産機 Propel HVM、300mm の全自動クラスター機
- •研究開発・少量生産向けモデルも用意
主な仕様
| 方式 | 枚葉式 MOCVD |
|---|---|
| 対象膜 | GaN 系 |
| 主要用途 | GaN パワー・5G RF・フォトニクス |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsCentura™ Prime™ Epi | Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE®-LV（ラージバッチEPI成膜装置） |
|---|---|---|---|
| 方式 | 枚葉エピタキシー | 枚葉式 MOCVD | ラージバッチ縦型（真空ロードロック） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm | — | 300 mm |
| 対象膜 | Si・SiGe・埋め込み SiGe／SiP | GaN 系 | — |
| 主要用途 | ロジックの S/D・チャネル、DRAM（HBM）周辺トランジスタ | GaN パワー・5G RF・フォトニクス | — |
1機種だけが掲載している項目（1件）
| 特徴 | — | — | 最大 1.25 倍のロット処理（同社比） |
|---|
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •GaN パワーデバイス
- •5G RF デバイス
- •フォトニクス・先端 CMOS
掲載カテゴリ
Propel GaN MOCVDは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
エピタキシャル成長装置（Epitaxy）は、単結晶シリコン基板上に同じ結晶方位を持つ薄い単結晶層（エピタキシャル層）を成長させる特殊な成膜装置です。
メーカー 5 社MOCVD装置MOCVD装置（有機金属気相成長）は、トリメチルガリウムなどの有機金属原料とアンモニアなどの水素化物を加熱した基板上へ供給し、熱分解反応で化合物半導体の結晶膜をエピタキシャル成長させる装置です。
メーカー 5 社RF半導体製造装置（GaN/GaAs）RF半導体製造装置は、GaN（窒化ガリウム）・GaAs（砒化ガリウム）・InP（リン化インジウム）などの化合物半導体を基板とし、高周波帯（マイクロ波・ミリ波）で動作するパワーアンプ・スイッチ・LNAなどを製造する装置群です。
メーカー 3 社メーカー
MOCVD・MBE・ALDなど薄膜エピタキシャル成長装置の専業メーカー。LED、化合物半導体、先端ロジック向けの精密成膜技術を提供。