アルバック・ファイ/表面分析装置(XPS/SIMS)

PHI GENESIS

アルバック・ファイの多機能走査型 X 線光電子分光分析装置(XPS)のフラッグシップ機。試料の自動交換で多検体を自動分析する。

PHI GENESISとは

PHI GENESIS は、アルバック・ファイの走査型 X 線光電子分光(XPS)装置です。試料に X 線を当てて飛び出す光電子のエネルギーを測り、表面の元素とその化学状態を分析します。高性能な XPS 分析機能に加えて、高い拡張性を持つのが特長です。

同じ装置内、同じ測定点で、さまざまな表面電子分光の分析を行えます。硬 X 線光電子分光(HAXPES)、紫外光電子分光(UPS)、低エネルギー逆光電子分光などに対応します。

5µm 未満に絞った X 線ビームを試料上で走査して二次電子像(SXI)を得られるため、SEM のようにリアルタイムで注目領域に移動し、分析領域を選べます。金属、半導体、セラミックス、有機物の表面の化学状態分析に使われます。

主な特長

  • •走査型マイクロ X 線による XPS
  • •HAXPES・UPS・低エネルギー逆光電子分光に拡張
  • •同一測定点での複数手法の分析
  • •X 線励起二次電子像(SXI)で領域選択

主な仕様

分析手法XPS(走査型マイクロ X 線)
特徴ロボットによる全自動分析・絶縁物自動中和・クラスターイオン深さ方向分析
主要用途金属・半導体・セラミックス・有機物の表面化学状態分析

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目アルバック・ファイPHI GENESIS日本電子(JEOL)JAMP-9510F島津製作所KRATOS ULTRA2(英国名 AXIS Supra+)リガク(Rigaku)TXRF 3760
分析手法XPS(走査型マイクロ X 線)AES(オージェ電子分光)XPS(イメージング XPS)TXRF(全反射蛍光 X 線)
特徴ロボットによる全自動分析・絶縁物自動中和・クラスターイオン深さ方向分析分析分解能 8 nm・像分解能 3 nm・最大 200 nAイメージング空間分解能 1 µm・DLD 2 次元検出器Na ~ U を測定・液体窒素不要の検出器・ゼロエッジ除外(オプション)
主要用途金属・半導体・セラミックス・有機物の表面化学状態分析微小領域の組成・化学状態分析極表面の元素・化学結合状態・深さ方向分析ウェーハ表面の金属汚染分析

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •半導体・材料の表面化学状態分析
  • •界面・薄膜の深さ方向分析

掲載カテゴリ

PHI GENESISは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

アルバック・ファイ

アルバックと米PHIの合弁による表面分析装置メーカー。XPS(ESCA)、TOF-SIMS、走査型オージェ電子分光装置などを供給し、汚染元素の同定や薄膜の深さ方向分析に使われる。

アルバック・ファイ の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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