7nm製程（7奈米製程）是結合FinFET電晶體結構與EUV曝光初期應用的半導體製造節點。台積電N7（2018年量產）被蘋果A12 Bionic（搭載於iPhone XS）、AMD Ryzen 3000系列、NVIDIA Turing GPU（部分）採用，相較10nm實現約40%的效能提升與約40%的面積縮小。Samsung 7LPP（2019年）也作為首個積極運用EUV的量產節點而備受矚目。
台積電N7製程僅以DUV（ArF浸潤式）實現，自改良版N7+起部分導入EUV（部分關鍵層），減少了多重圖案化步驟。透過採用FinFET結構，相較平面MOSFET可在抑制漏電流的同時實現高速運作。以7nm製造的晶片目前仍廣泛用於雲端伺服器用CPU（AMD EPYC Rome）與工業用途，作為成熟節點持續穩定供應。
在製程節點的世代比較上，7nm位於5nm的前一代。與5nm（台積電N5：2020年）相比，電晶體密度較低，但製造成本低、量產產線也穩定，因此在重視成本效益的用途中仍持續被選用。與3nm、5nm的節點比較請分別參閱3奈米製程與5奈米製程的用語，製程節點整體的比較請參閱3nm製程與5nm製程的差異的比較文章。EUV曝光機的角色則在euv-lithography-equipment中詳細說明。