Verdict結論
雷射切割與刀片切割最大的差異在於「是否接觸」。雷射切割是以雷射加工的非接觸方式（隱形切割是在晶圓內部形成改質層，再以應力裂斷），機械應力小、崩邊少，切割道寬度也窄，可增加晶片產出數。其特長是擅長薄晶圓、low-k、GaAs、MEMS等脆性材料。刀片切割是以鑽石刀片進行機械切削的傳統方法，雖較容易產生崩邊，但能穩定切割以矽為主、甚至較厚的晶圓，在泛用性與成本上具優勢。
主要差異
| 比較項目 | 雷射切割 | 刀片切割 |
|---|---|---|
| 切割原理 | 雷射加工（燒蝕／隱形內部改質後分割） | 以鑽石刀片進行機械研削、切削 |
| 崩邊、缺角 | 少（非接觸，機械應力小） | 機械應力容易造成崩邊 |
| 切割道寬度（kerf） | 窄（可增加晶片產出數） | 取決於刀片厚度，相對較寬 |
| 適用材料 | 擅長薄晶圓、low-k、GaAs、MEMS等脆性材料 | 以矽為主，較厚的晶圓也能穩定切割 |
| 冷卻、環境 | 隱形切割為乾式（無需切削水） | 必須使用切削水（純水） |
| 產能 | 視方式而定（隱形切割可高速分割） | 量產實績豐富且穩定 |
| 代表應用 | 薄型、脆性材料、先進封裝 | 泛用、重視成本的量產 |
| 代表設備廠商 | 迪思科（DISCO）、東京精密 | 迪思科（DISCO）、東京精密 |
隱形切割的原理與薄晶圓對應
隱形切割（Stealth Dicing）是雷射方式的一種，不削除晶圓表面，而是將雷射聚焦於內部形成改質層（SD層），之後利用擴張膠帶延展所產生的應力進行分割。這是不產生切屑（碎屑）與切削水的乾式製程，崩邊極少，因此適合經晶背研磨薄化的薄晶圓，以及面向3D堆疊的KGD晶粒單粒化。另一方面，刀片切割實績豐富，對厚晶圓也很穩定，加上成本優勢，至今仍廣泛用於泛用領域。
薄晶圓、先進封裝的選用基準
隨著小晶片（Chiplet）與HBM堆疊等3D／2.5D封裝的普及，晶圓已薄化至數十µm，low-k介電膜等脆弱材料也愈來愈多。對這類薄且脆的晶圓而言，刀片的機械應力所造成的崩邊與破裂會拉低良率，因此會選擇非接觸、低應力的雷射／隱形切割。反之，對於較厚且機械強度高的晶圓，或以低成本為最優先的量產，刀片切割仍是合理的選擇。製程設計時須一併考量切割前的晶背研磨，以及確保單粒化後品質的晶圓測試。
常見問題
什麼是隱形切割？
隱形切割是雷射切割的一種，不削除晶圓表面，而是將雷射聚焦於內部形成改質層，之後利用膠帶延展所產生的應力進行分割。這是不產生切屑與切削水的乾式製程，崩邊極少，適合薄晶圓與脆性材料的單粒化。它也是廣為人知的迪思科（DISCO）註冊商標。
哪一種崩邊比較少？
一般而言，雷射／隱形切割能大幅抑制崩邊。原因在於非接觸、機械應力小，尤其對經晶背研磨薄化的晶圓或low-k材料更具優勢。刀片切割屬機械切削，較容易產生缺角。
切割設備的最大廠商是哪一家？
迪思科（DISCO）在包含切割機、研磨機、雷射切割的切割／研磨設備領域擁有全球最高市占。東京精密（Accretech）在切割機與晶圓針測機方面也是有力廠商。