晶圓切割・研磨
涵蓋晶背研磨、刀片切割、雷射切割與隱形切割等，將晶圓薄化並分割成個別晶片的技術。這是後段製程的起點，隨著晶片薄型化與堆疊需求提高，抑制崩邊與破片的加工品質更受重視。
相關設備・材料分類
比較文章（2 篇）
- 雷射切割與刀片切割的差異（晶圓切割方式比較）雷射切割與刀片切割最大的差異在於「是否接觸」。雷射切割是以雷射加工的非接觸方式（隱形切割是在晶圓內部形成改質層，再以應力裂斷），機械應力小、崩邊少，切割道寬度也窄，可增加晶片產出數…
- 隱形切割與刀片切割的差異隱形切割與刀片切割最大的差異在於「有無切割損耗（kerf）」。隱形切割以雷射在晶圓內部形成改質層，再擴張膠膜使其斷裂，因此切割損耗幾乎為零，不產生切屑，崩邊也極小，抗折強度高，適合…
用語解說（9 個）
- 切割・研磨設備切割・研磨設備是用於將半導體晶圓分割成個別晶片（晶粒）的切割步驟，以及將晶圓背面薄化的晶背研磨步驟之後段製程設備的總稱。
- 晶背研磨機晶背研磨機是研削已形成電路之晶圓背面、使其薄化的後段製程設備。將通常750～780μm 的晶圓薄化至50～150μm，可實現封裝薄型化、提升散熱性並因應3D 堆疊。在記憶體多層堆疊…
- 雷射切割雷射切割是將半導體晶圓切割成個別晶片（晶粒）時，以雷射光取代鑽石刀片的切割技術，可大幅縮小切口寬度。
- 晶圓薄化晶圓薄化是將完成的晶圓背面研削・研磨以減少厚度的製程，以晶背研磨機的機械研削為主體，隨著後段製程先進化，重要性急速提升。
- 刀片切割刀片切割是讓電鍍鑽石刀片高速旋轉，以機械方式切削晶圓、將其分割成一顆顆晶片（晶粒）的切割方式，是最傳統且使用最廣的晶圓切割技術。
- 隱形切割（Stealth Dicing）隱形切割（Stealth Dicing）是將雷射光聚焦於晶圓內部形成改質層，再以擴片將晶圓裂斷成單顆晶粒的切割技術，由迪思科（DISCO）實用化。
- 主軸（Spindle）主軸（spindle）是安裝工具並高速旋轉的旋轉主軸，在半導體領域是帶動切割機刀片與晶背研磨機砂輪的核心零組件。晶圓切割時以每分鐘3萬～6萬轉左右旋轉，為抑制偏擺，會使用以壓縮空氣…
- 磨粒（研磨材）磨粒（研磨材）是研磨或研削時用來磨除材料的硬質微粒。在半導體領域，用於CMP研磨液、晶圓的研光（lapping）與拋光，以及晶背研磨的砂輪與切割刀片。依材質分別使用：氧化膜與最終拋…
- 研磨砂輪（Grinding Wheel）研磨砂輪（Grinding Wheel）是以結合劑固定鑽石等堅硬磨粒，製成圓盤或環狀的工具，高速旋轉以磨削材料。在半導體的晶背研磨中，標準作法是先以粗砂輪快速磨削，再以細砂輪精磨的…
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最後更新：2026年10月8日