刀片切割（Blade Dicing）是讓電鍍鑽石刀片高速旋轉，以機械方式切削晶圓、將其單顆化為個別晶片（晶粒）的切割方式，是最傳統且使用最廣的方法。加工時在切削點供應純水，以抑制摩擦熱並沖走切削碎屑（debris）。
刀片厚度（切口寬度）大約為15～50μm，會影響切割道（晶片間的切割預留寬度）的寬度。由於即使是厚晶圓或含金屬導線層的基板也能穩定切割，且具備豐富實績與高量產性，至今仍是通用封裝（QFP、BGA、QFN等）單顆化製程的主流。
另一方面，刀片的機械接觸容易在晶片端面造成崩邊（chipping，微小缺角）或裂痕，因此在已薄化的脆弱晶圓（50μm以下）或含low-k絕緣膜的先進元件上，正逐步改用非接觸加工的雷射切割與隱形切割。由於是使用切削水的濕式製程，後續也需要清洗與乾燥。
主要設備廠商為迪思科（DISCO）與東京精密（Accretech），基於量產線上的穩定性、產能與成本效益，在先進封裝以外的通用用途中仍被廣泛採用。