BiCMOS（Bipolar CMOS）是將雙極性電晶體與CMOS整合在同一晶片上的製程技術。目的是在1顆晶片上兼顧雙極性電晶體的高速、大驅動能力、優異類比特性，以及CMOS的高積集度與低功耗這些原本互為取捨的優點。
在電路上，需要高速、高驅動的輸出級及類比、高頻部分使用雙極性電晶體，邏輯運算與控制部分則使用CMOS。特別是結合SiGe（矽鍺）異質接面雙極性電晶體的SiGe BiCMOS，能以低成本實現數十至100GHz等級的高頻特性，廣泛用於無線通訊、毫米波雷達與光通訊IC。
主要用途包括RF收發器、電源管理IC（PMIC）、混合訊號IC、高速I/O驅動器等。由於能將類比、RF、功率與數位控制整合在1顆晶片上，有助於系統的小型化與高性能化。
另一方面，由於要同時製作雙極性電晶體與CMOS，光罩數與製程步驟增加，存在成本上升的取捨。台積電（TSMC）、格羅方德（GlobalFoundries）、高塔半導體（Tower Semiconductor）等提供BiCMOS／SiGe BiCMOS製程。搭配cmos與雙極性電晶體（BJT）條目閱讀，更容易理解混合整合製程的定位。