平邊（Orientation Flat）與缺口（Notch）是設在晶圓外周、表示結晶方位與正反面的標記。圓形晶圓光看外形無法得知方位，因此以削成直線狀的平坦部（平邊）或 V 字形切口（缺口）為基準，由設備以機械或光學方式偵測晶圓方向。
200mm 以下的晶圓主要使用平邊，並採用以長主平邊表示結晶方位、以短副平邊的位置關係表示導電型（p 型／n 型）與晶面方位的規格。300mm 晶圓則以缺口為標準。平邊的面積損失大，直徑越大越影響晶片產出數，因此轉向切口較小的缺口。
缺口與平邊的加工，與晶棒外周研削在同一階段進行。由於先以 X 光繞射實測結晶方位再決定研削位置，方位精度以角度計管理在數分以內。若這個基準偏移，後續微影時圖形會相對於結晶方位傾斜，影響非等向性蝕刻的形狀與劈裂時的裂開方式。
在設備端，EFEM 內的對準器會偵測缺口、對齊晶圓的旋轉方向後，再送入各處理站。若缺口形狀精度差，偵測會失敗而造成搬運錯誤，導致設備停機。此外，缺口部是邊緣中容易應力集中的部位，若倒角（bevel）品質不佳，會從這裡產生破裂或微粒。
結晶方位本身的選擇也與元件設計有關。MOS 電晶體以介面態較少的〈100〉面為標準，但電洞遷移率在〈110〉面較高，因此也有以載子遷移率為目標來選擇方位的設計。缺口是將該方位傳遞到製造產線每個角落、簡單卻不可或缺的資訊傳遞手段。