米勒指數是用來表示晶體中晶面與方向、由3個整數組成的表示法。晶面以(100)、(110)、(111)之類的小括號表示，晶向則以[100]之類的方括號表示。是指定半導體晶圓的晶面方向的標準方法。
晶面的米勒指數，是將該晶面與各晶軸相交之截距取倒數，再化為整數比而求得。矽的代表性晶面有(100)面、(110)面、(111)面，各自的原子密度與鍵結方向不同。負的截距以加上橫槓的數字表示。
米勒指數與元件製造直接相關。目前的 CMOS 邏輯主要使用(100)面晶圓，界面能態少，可得到品質良好的閘極氧化層。另一方面，也有為了提高電洞遷移率而使用(110)面的例子，以及在功率半導體與 MEMS 中利用(111)面進行非等向性蝕刻的例子。