德拜長度（Debye Length）是在大量帶電粒子中放入另一個電荷時，周圍粒子聚集而抵消（屏蔽）該電荷影響的距離參考值。名稱源自荷蘭物理學家德拜（Debye），也稱為德拜屏蔽長度。在比這個距離更遠處，電荷的影響幾乎無法到達，物質整體看起來呈電中性。這是電漿、半導體、電解液等可移動電荷眾多的物質所共通使用的概念。
德拜長度在溫度越高時越長，可移動電荷的密度越高時越短，以λD＝√（εkT／q²n）表示（ε為介電常數，k為波茲曼常數，T為溫度，q為電荷，n為密度）。在電漿中由電子溫度與密度決定，半導體製造所用的電漿（電子溫度數eV、電子密度10¹⁰cm⁻³左右）約為0.1mm上下。在電漿與壁面之間形成的、電子少而離子被加速的層（鞘層，sheath），厚度約為德拜長度的數倍至數十倍，決定離子撞擊晶圓的方向與能量。氣體的電離狀態要表現為「電漿」，其空間尺度必須遠大於德拜長度是1個條件。
在半導體內部，由摻雜物產生的載子會屏蔽電荷，其距離稱為外質德拜長度。例如矽的摻雜濃度為10¹⁶cm⁻³時約為40nm，濃度越高則越短。德拜長度是表面或接面附近能帶彎曲範圍的參考值，用於MOS結構的電容計算，以及考量空乏區邊緣載子濃度變化有多平緩的時候。可使用Semirai的電漿參數工具試算電漿的德拜長度。