FD-SOI（Fully Depleted Silicon-On-Insulator：全空乏型絕緣層上覆矽）是在薄埋入氧化層（BOX層）上形成超薄矽主動層（通道層，厚度數nm）的MOSFET電晶體技術。通道下方的絕緣膜阻斷載子的漏電路徑，實現全空乏化，並抑制短通道效應。意法半導體、Samsung Foundry已在28nm、22nm節點量產，廣泛用於IoT、車用、5G RF前端晶片。
FD-SOI最大的特點是基體偏壓（BB）技術。藉由對BOX層下方的基板施加電壓，可動態控制電晶體的臨界電壓（Vth）。可透過順向基體偏壓（FBB）提升效能，並透過逆向基體偏壓（RBB）切換至超低功耗模式，實現FinFET或GAA難以達成的Vth動態控制。在省電IoT、穿戴式裝置、邊緣AI裝置中獲得高度評價。
FinFET與FD-SOI的選擇依用途、成本與節點而異。FinFET最適合5nm以下的最先進、高效能、高密度元件，FD-SOI則在22～28nm節點的低功耗、類比RF混合元件上具有競爭力。製造成本也往往低於FinFET，適合藍牙、NFC、穿戴式MCU、車用微控制器、5G通訊前端IC。與FinFET的比較請參閱FinFET與FD-SOI的差異（製程架構比較），與GAA的比較請參閱FinFET與GAA電晶體的差異的文章。