FET（場效電晶體，Field-Effect Transistor）是以施加於閘極電極之電壓所產生的電場，控制源極與汲極間電流的半導體元件。以電壓驅動、功耗小，是現代積體電路的主角。
FET包括絕緣閘極的MOSFET、接面型的JFET、採用化合物半導體的HEMT等。它是只靠電子或電洞其中一種運作的單極性元件，與使用2種載子的雙極性電晶體相對。將MOSFET微縮而成的FinFET與GAA（閘極全環）是最先進邏輯製程的核心。
FET具有閘極、源極、汲極3個端子，以閘極電壓控制通道的導通。由於輸入幾乎只靠電壓即可驅動、輸入阻抗高，功耗小，適合大規模積體化。這是與雙極性電晶體的一大差異。
FET的代表是MOSFET，將n型與p型互補組合而成的CMOS是現代數位LSI的基礎。隨著微縮演進，立體結構從平面型發展到FinFET，再進一步發展到GAA（閘極全環）。採用化合物半導體的HEMT則活躍於高頻、高功率用途。