鈍化（Passivation）是指使表面處於化學上・電性上不活潑（passive）的狀態，以保護其免受外部影響。在半導體領域主要指形成覆蓋晶片最上層、保護導線與元件免受水分・離子・刮傷影響的保護膜（鈍化層）。此外，也用於指使半導體表面缺陷失去活性以改善電性特性的表面鈍化，以及在金屬表面形成氧化被膜以防止腐蝕的鈍態化。
作為晶片保護膜的鈍化，是在前段製程的最後進行。在多層內連線的最上層之上，以電漿CVD形成氮化矽（SiN）或其與氧化矽的疊層膜，並視需要疊上緩和應力的聚醯亞胺。氮化矽不易讓水分或鈉等可動離子穿透，可防止導線腐蝕與電晶體特性變動。之後只在打線接合或形成凸塊的焊墊部分開孔。若鈍化層有裂痕或針孔，經由封膠滲入的水分會使導線腐蝕，因此會以高溫高濕試驗（HAST）等確認可靠度。
表面鈍化是終結半導體表面或界面上的懸鍵（沒有鍵結對象的原子鍵），以減少載子復合與電荷捕獲的處理。在矽中，以氫終結閘極氧化層界面的熱處理（成形氣體退火，forming gas anneal）；在太陽電池中，以氧化鋁膜或含氫氮化矽膜進行的表面鈍化，能大幅提高轉換效率。在GaN的HEMT中，表面的氮化矽膜可抑制電子捕獲所造成的電流下降（電流崩塌）。