剝離製程（Lift-off）是先以光阻形成圖案，在其上沉積薄膜後以溶解方式去除光阻，藉此將附著在光阻上的不需要薄膜一併剝除，只留下直接附著在基板上部分的加工方法。其順序與先全面沉積薄膜、再以光阻為遮罩蝕刻的一般蝕刻相反，特點是不需使用蝕刻即可形成薄膜圖案。
剝離製程的步驟分為3個階段：（1）塗佈光阻並曝光・顯影，只在要留下薄膜的位置去除光阻；（2）在其上沉積金屬等薄膜；（3）以剝離液溶解光阻，連同其上的薄膜一起去除。要順利剝離，關鍵在於光阻上的膜與基板上的膜不能在側面相連。因此會將光阻剖面做成越往上越外凸的倒梯形（懸垂，overhang），或使用只有下層材料易溶的2層光阻形成屋簷結構。薄膜沉積適合採用原子直線飛行、不易附著於側面的電子束蒸鍍，而容易繞射附著的濺鍍則不適合。
剝離製程用於金・鉑等難以蝕刻加工的金屬，或不希望蝕刻損傷底層的情況。代表性用途包括GaAs或GaN等化合物半導體電晶體的電極、HEMT的閘極、MEMS、光元件，以及研發中的試製等。另一方面，剝離的膜碎片容易再附著、有光阻殘渣（Scum）時膜無法附著、圖案邊緣容易殘留毛邊，在微縮化與量產良率上有其極限，因此矽先進邏輯製程的導線採用鑲嵌（damascene）製程或蝕刻。