異質接面是指將能隙等性質不同的2種半導體接合而成的接面。相對於以同一種半導體連接p型與n型的一般pn接面稱為同質接面，異質接面是指如GaAs與AlGaAs、GaN與AlGaN、Si與SiGe這樣，使不同材料以結晶形式連續的接面。「Hetero」源自希臘語中意為「不同」的字。
材料能隙的差異，會在接合面以導電帶與價電帶的階差（能帶偏移，band offset）呈現。利用這個階差，可以將電子或電洞侷限在特定層中，或使電流在某一方向容易流動、反方向則不易流動，實現同質接面無法達成的設計。要製作品質良好的異質接面，必須選擇晶格常數相近的材料組合，或將膜厚控制在應變不會鬆弛的臨界膜厚以下。實際上是以MOCVD或MBE進行磊晶成長，形成原子層級陡峭的界面。
代表性應用如下。HEMT（高電子遷移率電晶體）利用AlGaAs/GaAs或AlGaN/GaN界面形成的二維電子氣，可在高頻・高功率下運作。HBT（異質接面雙極性電晶體）在射極使用能隙較寬的材料以提高電流增益，用於智慧型手機的功率放大器。在半導體雷射與LED中，以雙異質結構將載子與光侷限在主動層以提高發光效率，這項研究成為2000年諾貝爾物理學獎（阿爾費羅夫與克勒默）的得獎對象。此外，結合非晶矽與結晶矽的異質接面太陽電池（HJT），也作為高效率太陽電池量產中。