化合物半導體晶圓是什麼

化合物半導體晶圓是 GaAs、InP、GaN、藍寶石等由多種元素構成之半導體基板的總稱。由於具備矽所沒有的直接能隙能帶結構與高電子遷移率，負責雷射二極體、光通訊用元件、高頻放大器、LED 等矽在原理上無法製作的用途。晶體成長難度高，基板直徑一直維持比矽小的狀態。不同用途使用的材料不同，材料的選擇會直接決定元件的工作波長與頻率特性。

重點整理

GaAs・InP・GaN・藍寶石等由多種元素構成的半導體基板

以直接能隙能帶結構與高電子遷移率負責矽無法勝任的用途

主要應用於雷射・光通訊・高頻放大器・LED

材料選擇決定元件的工作波長與頻率特性

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化合物半導體晶圓的主要廠商

信越化學（Shin-Etsu）日本矽晶圓・光阻・半導體材料

所屬主題

化合物基板（SiC・GaN・藍寶石）（主題）

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