扭結效應是指主要在 SOI（Silicon on Insulator）基板上的 MOSFET 中觀察到的現象：在汲極電流－電壓特性的飽和區，電流呈階梯狀急增。因特性曲線上出現彎折（kink）而得名，是 SOI 元件特有的課題。
原因在於本體（通道下方的中性區）產生的電位浮動。汲極電壓升高時，通道端會因碰撞游離而產生電洞。在 SOI 中，本體被埋入氧化層電氣隔離，因此這些電洞會累積在本體中、推升本體電位，使實效臨界電壓下降，汲極電流因而呈階梯狀增加。
扭結效應會損害類比電路的線性度與數位電路的操作裕度，因此需要對策。可使用設置本體接點（body contact）讓累積的電洞逸出的方法，或採用全空乏型 SOI（FD-SOI）使電洞不會累積在本體中的方法。另外，「kink」一詞在其他領域也會使用，但在半導體領域指的就是此現象。