SOI（Silicon On Insulator）是在矽基板上夾入埋入氧化層（BOX：Buried Oxide），並在其上的薄矽層形成電晶體的基板技術。由於元件與底層基板絕緣隔離，在降低接面電容、抑制漏電、抗閂鎖效應及抗輻射能力方面表現優異，具有與一般塊材矽（bulk silicon）不同的優點。
SOI分為矽層較厚、僅部分空乏的部分空乏型（PD-SOI），以及極薄矽層全部空乏的完全空乏型（FD-SOI）。FD-SOI幾乎不需要對通道摻雜，能在抑制短通道效應的同時，以本體偏壓動態控制臨界電壓，因此適合低功耗IoT、車用MCU與5G RF。
SOI的主要優點是降低寄生電容帶來的高速化與低功耗，以及高抗軟錯誤能力。意法半導體（STMicroelectronics）與格羅方德（GlobalFoundries，22FDX）已量產FD-SOI，RF-SOI則在全球廣泛用於智慧型手機的高頻開關與天線調諧器。它作為與FinFET微縮途徑不同的選項並存。
SOI晶圓以Soitec擁有專利的SmartCut™（氫離子佈植＋貼合＋剝離）或貼合法（BSOI）製造。搭配fdsoi條目了解完全空乏型SOI、搭配矽晶圓條目了解與化合物的差異，便能更清楚掌握其在整體基板技術中的定位。