CUA（CMOS under Array）與 CBA（CMOS Bonded Array，CMOS directly Bonded to Array）是在3D NAND 快閃記憶體中，把驅動記憶胞的周邊電路（頁緩衝器、感測放大器、解碼器等）放在記憶胞堆疊正下方、而非旁邊的結構。過去周邊電路排在記憶胞陣列旁邊，占晶片面積的2～3成。放在正下方，就能大幅提高同一面積中記憶胞所占的比例。
CUA 是在同一片晶圓上先製作 CMOS 周邊電路，再在其上堆疊記憶胞的方式。美光（Micron）等採用，從與 Intel 共同開發的世代開始使用。不過，製作記憶胞堆疊的高溫製程也會作用在下方的 CMOS 電路上，有電晶體性能不易提升的限制。
CBA 是把周邊電路與記憶胞分別在不同晶圓上製作，最後把2片晶圓相對、以銅對銅接合的方式。鎧俠（Kioxia）與 Western Digital 在第8代 BiCS FLASH 採用，長江存儲（YMTC）的 Xtack 也是同樣的想法。各製程能分別最佳化，因此周邊電路能高速化，輸入輸出速度也容易提升。需要晶圓對晶圓的混合鍵合技術，3D DRAM 也在研究類似結構。
