DRAM（Dynamic Random Access Memory）製程是將1電晶體＋1電容的單元結構微縮化、高密度化的製造技術。DRAM廣泛用作系統主記憶體與HBM基礎晶粒，製程的主要技術課題是縮小單元尺寸並維持電容值。
SK海力士（HBM3E）、美光、三星引領最先進的DRAM製程。先進DRAM結合EUV曝光與高度的薄膜沉積、蝕刻技術製造。
DRAM由1電晶體＋1電容（1T1C）的單元構成，將電荷儲存在電容中以記憶資訊。由於電荷會隨時間流失，需要定期讀出再寫回的刷新動作。隨著微縮，形成深溝槽或高深寬比的單元電容成為技術難關。
在先進DRAM中，於最微細的層導入EUV曝光，並以埋入式字元線、High-k電容介電膜等推進微縮。SK海力士、三星、美光3家占據市場，在AI需求帶動下，HBM用DRAM的生產持續擴大。