預充電（Precharge）是在電路動作前，先將導線或電容充電（或放電）至固定電壓的操作。意為「事先充電」，目的是讓下一個動作能準確偵測微小的電壓變化，或加快動作。最為人所知的是DRAM讀取時的預充電，此外也用於動態邏輯電路及電源電路的湧浪電流對策。
在DRAM中，是讓儲存在記憶胞電容器中的微小電荷流到記憶胞所連接的位元線上來讀取。讀取前先將位元線對統一設在電源電壓的一半（VDD/2）（預充電與等化），開啟字元線後，記憶胞的電荷會使位元線電壓略微上升或下降。感測放大器將這個微小差異放大，判定為0或1。在DDR等DRAM中，關閉已開啟的列、使位元線回到準備下一次讀取狀態的指令稱為預充電（PRE），所需時間（tRP）是代表記憶體速度的時序參數中的1個。
在動態邏輯（骨牌邏輯）中，於時脈前半將輸出節點預充電至高電壓，後半再依輸入決定是否放電（求值），藉此比一般CMOS電路更快速地運作。在電動車的逆變器等設備中，若將大型平滑電容直接接上電源，會流過大電流（湧浪電流）而損傷零件，因此會設置先經電阻緩慢充電、再閉合繼電器的預充電電路。