濺鍍靶材是在濺鍍（PVD）中作為薄膜材料的金屬或化合物板材。讓電漿中的氬離子撞擊靶材，使被撞出的原子堆積在晶圓上形成薄膜。半導體中使用的靶材包括用於導線與電極的鋁、銅、鈦、鉭、鈷、鎢，以及它們的氮化物等。
半導體用靶材要求純度達 99.999%（5N）～99.9999%（6N）這樣極高的水準。原因是鈉等鹼金屬，以及鈾、釷這類放射性元素，即使極微量也會造成元件不良。此外，藉由讓晶粒的大小與方向一致，可確保膜厚的均勻性並減少微粒。
靶材接合在銅等材質的背板（backing plate）上後安裝到設備中，並從背面以水冷卻。磁控濺鍍會沿著磁鐵的配置被削出溝槽狀的凹痕（侵蝕，erosion），因此平板靶材往往只用掉 3～4 成左右的材料就到了更換時機。使用後的靶材會回收並重新精煉。主要廠商有 JX 金屬、Honeywell、東曹（Tosoh）、三菱綜合材料等。
