磁控濺鍍是在靶材背面放置磁鐵，在靶材表面附近施加磁場的濺鍍方式。半導體導線與阻障金屬層沉積所用的濺鍍設備，幾乎都採用這種方式。
在磁場與電場交叉的地方，電子會像纏繞在磁力線上一樣呈螺旋運動，持續沿著靶材表面繞行（E×B 漂移）。由於電子不會逃逸而長時間停留，撞擊氣體分子產生離子的次數增加，在靶材正前方形成高密度電漿。結果是即使在 0.1～1 Pa 左右的低壓下放電也很穩定，沉積速度比沒有磁鐵的方式大幅提升。壓力低時，被撞出的原子不會與氣體碰撞就能抵達晶圓，因此膜質也會變好。
缺點是靶材會沿著磁場的形狀被削出溝槽（侵蝕），因此材料使用效率低，膜厚也容易不均勻。為了彌補這一點，會旋轉磁鐵使削蝕變得均勻。金屬使用直流（DC），絕緣物使用射頻（RF），也會通入氮氣等反應性氣體來製作氮化鈦，進行反應性濺鍍。為了讓薄膜附著到微細孔洞的底部，也會使用將撞出的原子離子化、再以偏壓吸引的離子化 PVD。
