用語スパッタリングターゲットスパッタリング装置最終更新 2026-10-10出典 1件Excel・PDF版

スパッタリングターゲットとは

Sputtering Target

スパッタリングターゲットとは、スパッタリングで膜の材料になる金属や化合物の板で、アルゴンイオンでたたき出した原子をウェハに積もらせます。半導体用には5N〜6Nの純度と、結晶粒の大きさ・向きの制御が求められます。バッキングプレートに接合して使い、平板では材料の3〜4割を使ったところで交換します。

目次7項目
  1. 定義・解説
  2. 図解
  3. よくある質問
  4. 設備の製造メーカー
  5. 関連用語
  6. 比較・違いを学ぶ
  7. 出典・参考資料

定義・解説

スパッタリングターゲットとは、スパッタリング(PVD)で膜の材料になる金属や化合物の板です。プラズマ中のアルゴンイオンをターゲットにぶつけ、はじき出された原子をウェハの上に積もらせて膜を作ります。半導体では、配線や電極に使うアルミニウム・銅・チタン・タンタル・コバルト・タングステンや、その窒化物などのターゲットが使われます。

半導体用のターゲットには、純度99.999%(5N)〜99.9999%(6N)といった極めて高い純度が求められます。ナトリウムなどのアルカリ金属や、ウラン・トリウムのような放射性元素はわずかでもデバイスの不良につながるためです。さらに、結晶粒の大きさや向きをそろえることで、膜の厚さの均一性やパーティクルの少なさを確保します。

ターゲットは銅などのバッキングプレートに接合して装置に取り付け、裏側から水で冷やします。マグネトロンスパッタでは磁石の配置に沿って溝状に削れていく(エロージョン)ため、平板のターゲットでは材料の3〜4割ほどしか使えないまま交換時期を迎えます。使用後のターゲットは回収して精製し直されます。主要メーカーはJX金属、Honeywell、東ソー、三菱マテリアルなどです。

図解

スパッタリングターゲット・バッキングプレート・マグネットの構造
結晶粒の大きさと向きが、膜の均一性とパーティクルに影響する。

よくある質問(FAQ)

スパッタリングターゲットに高い純度が必要なのはなぜですか?
ターゲットの不純物は、そのまま膜に入ってデバイスの特性を悪くするためです。ナトリウムなどのアルカリ金属はトランジスタの特性を変え、ウランやトリウムなどの放射性元素はアルファ線でメモリの誤動作(ソフトエラー)を起こします。そのため5N〜6Nといった純度で管理されます。
ターゲットの材料はすべて使い切れるのですか?
使い切れません。マグネトロンスパッタでは磁場の形に沿って一部だけが深く削れるため、平板のターゲットではおおむね材料の3〜4割を使ったところで穴が開く前に交換します。使用後のターゲットは回収して再精製されます。

設備の製造メーカー

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比較・違いを学ぶ

出典・参考資料

  1. フルヤ金属「薄膜製品 半導体用スパッタリングターゲット」(2026/10/10 確認)