鎢（Tungsten）是原子序74、元素符號W的金屬，熔點約3,422℃，在所有金屬中最高，特點是又硬又重（密度約19.3g/cm³）。元素符號W源自其德文名稱Wolfram。在半導體中，它用於連接電晶體與導線的接觸窗、連接導線之間的通孔插塞，以及記憶體的字元線等，是重要的導線材料之一。
鎢最大的用途是接觸窗插塞。以氫氣或矽烷還原六氟化鎢（WF₆）的CVD，填入連接電晶體源極・汲極或閘極與其上方銅導線的細而深的孔。鎢的CVD能填到細而深的孔底部，耐高溫，也較不像銅那樣有擴散進矽中汙染元件的疑慮，因此適合最接近電晶體部分的連接。孔的側壁會先沉積兼具附著層與擴散阻障功能的鈦或氮化鈦膜，填入後再以CMP去除上表面多餘的薄膜。
在記憶體方面，DRAM的埋入式字元線，以及3D NAND中堆疊字元線的電極也一直使用鎢。3D NAND中有將鎢填入抽除堆疊犧牲層後所形成橫向孔洞的製程，隨著層數增加，鎢的用量也在增加。不過隨著微縮化使導線變細，鎢的電阻會變高，附著層也會佔用空間，因此正推動改用電阻更低、且不需要附著層的鉬。鎢礦的生產高度集中於中國，作為關鍵礦物，其供應穩定性也受到關注。