TDDB（Time-Dependent Dielectric Breakdown：時間相依介電崩潰）是對閘極絕緣膜（閘極氧化層或High-k膜）持續施加電場時，經過一段時間後突然失去絕緣性而崩潰的可靠度劣化現象。它是決定電晶體壽命的代表性失效模式，在閘極絕緣膜持續薄化的先進節點中特別重要。
其機制以下列模型說明：電場應力使絕緣膜中逐漸產生並累積缺陷（陷阱），當這些缺陷連成一條導電路徑（滲流路徑，percolation path）的瞬間便發生崩潰。崩潰分為漏電流緩慢增加的軟崩潰（soft breakdown），以及絕緣性急遽喪失的硬崩潰（hard breakdown）。
隨著微縮使等效氧化層厚度（EOT）變薄，即使電壓相同電場也會增強，確保TDDB壽命變得更加困難。導入High-k／金屬閘極，也有兼顧降低EOT與確保可靠度的目的。由於到崩潰為止的時間有變異，會以韋伯（Weibull）統計評估壽命分布。
評估是以施加高於實際使用之電壓與溫度的加速測試進行，再外插出實際運作條件下的壽命。它與NBTI及熱載子注入並列為主要劣化因素，與閘極堆疊（gate-stack）、EOT及可靠度測試設備密切相關。搭配nbti條目閱讀，便能理解閘極絕緣膜可靠度的全貌。