預燒（Burn-In Test）是在半導體元件出貨前，將其置於高溫、高電壓的加速應力環境中，刻意使早期失效（early failure）顯現並加以剔除的品質保證製程。一般在125℃左右的溫度下通電運作數小時至數十小時，篩選出帶有製造製程所致潛在缺陷的元件。
預燒的理論基礎在於浴缸曲線（Bathtub Curve）。元件的故障率在使用初期偏高（早夭期），之後經過穩定期，到了磨耗失效期又再度上升。預燒透過人為加速這段早期失效區間，大幅降低現場不良率。車用（AEC-Q100等級）及太空、軍事用途尤其要求嚴格的預燒規範。
在設備方面，主流做法是將大量元件裝在預燒板（BIB）上，於溫控烘箱中進行平行測試。近年隨著DRAM與NAND快閃記憶體的大容量化與高速化，在預燒期間反覆執行寫入與讀取動作的「動態預燒」已成為標準。設備大廠愛德萬測試與泰瑞達也有提供預燒系統。
縮短預燒時間是降低成本的重要課題。結合高溫工作壽命（HTOL：High Temperature Operating Life）試驗，以統計方式設計最佳預燒條件的手法已相當普及。此外，在3D NAND與HBM等堆疊元件中，以單一裸晶進行的KGD（Known Good Die）預燒，作為組裝前的步驟日益重要。
容易與預燒混淆的用語是「老化（aging）」，老化通常是指在常溫、額定電壓下進行的長時間運作試驗。預燒屬於加速試驗（Accelerated Stress Test）的一種，依據阿瑞尼斯方程式計算在實際使用環境下的等效壽命。2025年以後，小晶片（Chiplet）結構封裝後的預燒成為課題，測試技術必須持續演進。