Verdict結論
晶圓測試與最終測試最大的差異在於「測試的時機」。晶圓測試（CP）是在封裝前的晶圓狀態下，以針測機量測各晶粒的電氣特性，在封裝前剔除不良晶粒，避免浪費封裝成本，並保證KGD（Known Good Die）。最終測試（FT）則以ATE與測試分類機檢測封裝後的成品，全面確認全部功能、高速時序、溫度測試（−40～125°C）乃至預燒。
主要差異
| 比較項目 | 晶圓測試（CP/Wafer Probe） | 最終測試（FT/Package Test） |
|---|---|---|
| 實施時機 | 封裝前（晶圓狀態） | 封裝後（成品狀態） |
| 目的 | 及早檢出不良晶粒・避免浪費封裝成本・保證KGD | 確認成品全數的功能・時序・可靠度 |
| 使用設備 | 晶圓針測機（東京精密・FormFactor）＋ATE（愛德萬測試・泰瑞達） | ATE（愛德萬測試 V93000・T2000、泰瑞達 UltraFLEX等）＋測試分類機 |
| 測試項目 | 基本電氣特性（DC特性・主要功能確認・良率判定） | 全部功能・高速時序・溫度測試（−40～125°C）・預燒等，涵蓋完整 |
| 溫度測試 | 有限（以晶圓溫控吸盤部分對應） | 完整對應（溫控腔體・均溫爐） |
| 降低成本效果 | 大（可省下不良晶粒的封裝成本） | 為最終品質保證所必需（主要目的是確保品質而非降低成本） |
| 先進應用 | 3D堆疊必須確保KGD（Known Good Die） | 以SLT（System Level Test）實機確認系統運作的案例增加 |
KGD（Known Good Die）：3D堆疊時代晶圓測試的重要性
隨著小晶片（Chiplet）、HBM堆疊、混合鍵合等3D/2.5D封裝的普及，晶圓測試的重要性急遽提升。3D IC與HBM是由多顆良品晶粒（KGD：Known Good Die）組合而成，只要混入1顆不良晶粒，堆疊後整個系統就會成為不良品。為保證KGD，必須在晶圓測試中確保高檢出率（測試涵蓋率），在晶圓層級實施預燒的「晶圓級預燒（WLBI）」技術也逐漸導入。
System Level Test（SLT）的興起與最終測試的高度化
隨著AI加速器、SoC、車用半導體日趨複雜，僅靠ATE無法完整驗證實際系統運作的情況增加，SLT（System Level Test）因此受到關注。SLT是實際執行軟體，在「接近使用狀態的環境」下測試產品的方法，可檢出ATE單獨難以發現的功能錯誤與軟體相依的不良。SLT在英特爾高效能CPU、輝達GPU、蘋果SoC等產品上的應用持續擴大。測試設備整體請參考半導體測試設備，晶圓針測機的詳細內容請參考晶圓針測機。
常見問題
晶圓測試與最終測試哪一個先進行？
依晶圓測試（CP）→ 封裝 → 最終測試（FT）的順序實施。在晶圓狀態下剔除不良晶粒，可減少將不良晶粒投入高成本封裝製程的浪費。
KGD是什麼？
KGD（Known Good Die：已確認良品晶粒）是指通過晶圓測試的良品晶粒。特別是在小晶片（Chiplet）、HBM堆疊等組合多顆晶粒的3D/2.5D封裝中，於堆疊前確保KGD，可將堆疊後的良率損失降至最低。
半導體測試的主要廠商有哪些？
ATE由愛德萬測試（Advantest，全球市占約50%，V93000・T2000等）與泰瑞達（Teradyne，UltraFLEX・Magnum等）2家占全球市場的大部分。晶圓針測機的主要供應商則為東京精密（Accretech）、FormFactor、MJC（三菱重工集團）。