歐姆接觸是指金屬與半導體的接觸中，電流與電壓成正比（遵循歐姆定律），也就是不論電流方向都能以低電阻導通的接觸。也稱為Ohmic contact。電晶體的源極・汲極電極、二極體或LED、功率元件的電極等，凡是要從半導體向外部取出電流的地方都需要歐姆接觸。相對地，電流只容易往單一方向流動的整流性接觸，則稱為蕭特基接觸（蕭特基接面）。
單純讓金屬與半導體接觸時，多數情況下界面會形成能量障壁（蕭特基能障），使電流難以流動。取得歐姆接觸的方法主要有2種。1種是將界面的半導體高濃度摻雜至10¹⁹～10²⁰cm⁻³以上，使空乏區薄至數nm，讓載子能以穿隧效應穿過能障。另1種是依功函數的組合選擇能障較低的金屬。矽LSI以前者為基本，在高濃度摻雜的源極・汲極上形成矽化鎳（NiSi）等矽化物以降低接觸電阻。
在化合物半導體中，各材料的電極組合各有講究，n型GaAs使用AuGeNi合金、n型GaN使用Ti/Al系、SiC則使用將鎳在約1000℃熱處理使其矽化的方法等。也有如p型GaN這類難以取得良好歐姆接觸的材料，會左右元件性能。接觸的優劣以比接觸電阻率（Ω·cm²）表示，並以改變電極間距的圖案進行量測的TLM法評估。在微縮化使接觸面積變小的先進邏輯產品中，接觸電阻占電晶體整體寄生電阻的比例越來越大，要求比接觸電阻率達10⁻⁹Ω·cm²等級。