FAaST CV/IV 是 Onto Innovation 的非接觸電性量測平台。可將微觀與巨觀的電暈・凱爾文技術與數位表面光電壓(SPV)結合,以高解析度量測多種絕緣材料的薄膜與介面。研發與量產皆可使用。
非接觸 CV 量測的主要用途,是監控 IC 製造中絕緣膜的特性。與傳統的電性量測不同,不需製作試片,也不需製作 MOS 電容結構。藉此降低量測成本,在研發與製造中更快回饋資料。
電暈・凱爾文法是利用空氣中的電暈放電將電荷置於絕緣膜表面,再從表面電位的變化求得絕緣膜與介面的電性。
以電暈・凱爾文法與數位 SPV,非接觸量測絕緣膜與介面電性的量測平台。
FAaST CV/IV 是 Onto Innovation 的非接觸電性量測平台。可將微觀與巨觀的電暈・凱爾文技術與數位表面光電壓(SPV)結合,以高解析度量測多種絕緣材料的薄膜與介面。研發與量產皆可使用。
非接觸 CV 量測的主要用途,是監控 IC 製造中絕緣膜的特性。與傳統的電性量測不同,不需製作試片,也不需製作 MOS 電容結構。藉此降低量測成本,在研發與製造中更快回饋資料。
電暈・凱爾文法是利用空氣中的電暈放電將電荷置於絕緣膜表面,再從表面電位的變化求得絕緣膜與介面的電性。
| 方式 | 非接觸 CV 量測(微觀/巨觀的電暈・凱爾文+數位 SPV) |
|---|---|
| 特點 | 無需製作試片・無需 MOS 電容 |
| 主要用途 | IC 製造中絕緣膜特性的監控 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
Onto Innovation(總部:美國)