最後更新:2026年10月23日膜成分分析設備(XRF/FTIR)

FAaST CV/IV的特點與規格

Onto Innovation・膜成分分析設備(XRF/FTIR)

以電暈・凱爾文法與數位 SPV,非接觸量測絕緣膜與介面電性的量測平台。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

FAaST CV/IV 是 Onto Innovation 的非接觸電性量測平台。可將微觀與巨觀的電暈・凱爾文技術與數位表面光電壓(SPV)結合,以高解析度量測多種絕緣材料的薄膜與介面。研發與量產皆可使用。

非接觸 CV 量測的主要用途,是監控 IC 製造中絕緣膜的特性。與傳統的電性量測不同,不需製作試片,也不需製作 MOS 電容結構。藉此降低量測成本,在研發與製造中更快回饋資料。

電暈・凱爾文法是利用空氣中的電暈放電將電荷置於絕緣膜表面,再從表面電位的變化求得絕緣膜與介面的電性。

主要規格

方式非接觸 CV 量測(微觀/巨觀的電暈・凱爾文+數位 SPV)
特點無需製作試片・無需 MOS 電容
主要用途IC 製造中絕緣膜特性的監控

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

非接觸 CV 量測
無需製作試片
電暈・凱爾文+數位 SPV

主要用途

  • 閘極絕緣膜的特性監控

製造商

Onto Innovation(總部:美國)

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資料來源

  1. Onto Innovation 官方產品頁面:Onto Innovation FAaST CV/IV