最後更新:2026年10月23日片電阻量測設備

CAPRES CIPTech的特點與規格

科磊(KLA)・片電阻量測設備

在空白膜狀態下直接量測 MRAM 用 MTJ 堆疊之磁阻(MR)與面積電阻(RA)的設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

CAPRES CIPTech 是科磊的電性・磁性特性量測設備。在空白 MTJ(磁穿隧接面)堆疊上,直接量測對 MRAM、STT-RAM、磁記錄讀寫頭與磁感測器十分重要的磁阻(MR)與穿隧電阻(RA)。

由 IBM 授權的面內電流穿隧技術(CIPTech)量測速度比傳統方法快,大幅減少成本與時間。以具備 12 根微小懸臂電極的獨家多點探針接觸 MTJ 表面,自動求得 MR 與 RA。

有全自動的 CAPRES A301 CIPTech 與半自動/手動的 CAPRES M300 CIPTech,可非破壞量測 300mm 整片晶圓或樣品片。

主要規格

方式面內電流穿隧(CIPTech・由 IBM 授權)
量測項目磁阻(MR)・面積電阻(RA)
配置全自動 A301・半自動/手動 M300

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以 CIPTech 直接量測 MR・RA
12 根懸臂電極
全自動/半自動配置

主要用途

  • MRAM 的開發・製程管理
  • 磁記錄讀寫頭・磁感測器

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣總部(新竹縣竹北市):台元科技園區,2025 年啟用新辦公室與訓練中心
  • 各地據點(新竹・桃園・林口・台中・台南・高雄):就近支援各科學園區的客戶

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資料來源

  1. 科磊(KLA)官方產品頁面:KLA