SPTS Omega 的 Rapier 與 DSi-v 製程模組，是科磊（KLA，SPTS）的高速矽蝕刻模組。深反應離子蝕刻（DRIE）以反覆進行蝕刻（SF₆）與保護膜（C₄F₈）步驟的博世製程，在矽上挖出非等向性的溝槽或孔洞。
科磊擁有 1,500 個以上 DRIE 製程模組的導入實績，在 MEMS 等深矽蝕刻領域有數十年的經驗。
Rapier 採用雙電漿源設計，具有獨立控制的 1 次・2 次去耦合電漿區，以及獨立的 2 系統氣體導入。使自由基以高濃度均勻分布，在最大 300mm 的晶圓上實現高蝕刻速率、晶圓全面優異的均勻性，以及 CD・輪廓・傾斜的控制。