MARORA®

独自の MMT 方式で約 1eV の低電子温度プラズマを作る枚葉のトリートメント装置。ゲート絶縁膜のプラズマ窒化・酸化に使う。

MARORAとは

MARORA（マローラ）は、KOKUSAI ELECTRIC の枚葉トリートメント（膜質改善）装置です。次世代 DRAM やロジックのゲート絶縁膜の形成、フラッシュメモリの絶縁膜の形成に向いています。

独自のプラズマ生成方式（MMT：Modified Magnetron Typed）で、約 1eV の低い電子温度のプラズマを効率よく作り、プラズマダメージのない処理を実現しています。基板表面のプラズマの均一性も高めています。

従来モデルの最大 2 倍の生産性を持ち、広い範囲で温度を制御できる高温ヒーターを搭載しています。プラズマ酸化とプラズマ窒化に加え、金属を酸化せずにシリコンだけを選んで酸化する「選択酸化」もできます。

主な特長

•MMT 方式の低電子温度プラズマ（約 1eV）
•プラズマダメージフリー
•生産性は従来の最大 2 倍
•選択酸化に対応

主な仕様

方式	枚葉プラズマ処理（MMT 方式・約 1eV）
対応ウェハ径	300 mm
主要用途	プラズマ窒化・プラズマ酸化・選択酸化

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	Applied MaterialsVantage Vulcan RTP	Applied MaterialsCentura® DPN HD	Applied MaterialsVantage® RadOx™ RTP	Applied MaterialsVantage® Radiance® Plus RTP	Mattson TechnologyHelios® XP（RTPシステム）	Kokusai Electric（国際電気）TANDUO	Kokusai Electric（国際電気）MARORA®	東京エレクトロン（TEL）Triase+™ SPAi
方式	ランプ加熱式 RTP（枚葉）	デカップルドプラズマ窒化（DPN）＋窒化後アニール（PNA）	ラジカル酸化（RTP・Radiance チャンバー）	大気圧 RTP（Radiance チャンバー）	両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP	枚葉式	枚葉プラズマ処理（MMT 方式・約 1eV）	SPA プラズマ処理（バイアス機能付き）
主要用途	不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理	3X／2X nm 世代の酸窒化ゲート	メモリゲート酸化膜・STI ライナー・フラッシュのトンネル酸化膜・ONO	注入後のスパイクアニール・シリサイドアニール	活性化アニール・シリサイド化アニール	枚葉での熱処理・膜質改善	プラズマ窒化・プラズマ酸化・選択酸化	ゲート窒化・ゲート修復酸化・STI ライナー酸化・High-k 窒化
特徴	—	—	熱予算の厳密な管理・工程中モニタリング	—	表裏の温度バランス制御による高速昇温	—	—	高密度・低電子温度プラズマ
対応プロセス	スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール	—	—	—	—	アニール・薄膜形成	—	—
関連機種	Vantage Radiance Plus RTP（前世代機）	—	—	—	—	MARORA（プラズマ窒化・プラズマ酸化）	—	—
構成	—	Centura メインフレームに DPN 室と PNA 室を搭載	—	—	—	モジュール選択式	—	—

1機種だけが掲載している項目（5件）

チャンバー技術	ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御	—	—	—	—	—	—	—
温度制御	—	—	—	7 点測定・100Hz 閉ループ・240rpm 回転	—	—	—	—
効果	—	—	—	—	パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理	—	—	—
対応範囲	—	—	—	—	基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス	—	—	—
対応ウェハ径	—	—	—	—	—	—	300 mm	—