IMPHEAT-II 是日新離子機器（Nissin Ion Equipment）針對 SiC 功率元件的離子佈植機。SiC 與矽不同，若不在高溫下佈植容易殘留晶格損傷，因此會使用一邊加熱晶圓一邊佈植的設備。
佈植溫度涵蓋室溫至 500°C，支援 4／6／8 吋晶圓。為強化高溫傳送可靠度與產能的機型，標榜業界最高的高溫產能。
以有助於生產力的大電流 Al+ 離子束，可進行針對 SiC 功率元件的鋁（Al）佈植。採用以該公司中電流機 EXCEED 系列為基礎的高可靠度設計，並透過保養零件共通化提高運用效率。