最後更新:2026年10月23日SiC 功率半導體製造設備

VIISta 900 3D的特點與規格

應用材料(Applied Materials)・SiC 功率半導體製造設備

針對 150/200mm SiC 晶圓的高溫離子佈植機。抑制對晶格的損傷,與室溫佈植相比使電阻率降至 1/40 以下。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

VIISta 900 3D 是應用材料(前 Varian)中電流離子佈植機的旗艦機種,用於 2xnm 以後節點的量產。束線(beamline)具備角度精度與束形控制,用於在邏輯 finFET 與 3D 記憶體結構中精確配置摻雜物,並將晶圓面內與晶圓間的變異降到最小。

以濾質磁鐵在離子源之後立即去除大部分不需要的佈植物種,並以三重磁鐵架構在離子束抵達晶圓之前去除其中的金屬、微粒、異種離子與汙染。號稱是中電流機中最潔淨的束線。透過垂直方向角度與束形控制,以及閉迴路的微觀/巨觀均勻性量測,將縱橫角度精度提高到 0.1°,為前一世代的 2 倍。

選配的整合式高溫佈植功能,可在佈植中保持矽與高遷移率通道材料的結晶性。用於控制影響 3D 元件性能與耗電的結晶損傷,也用於 SiC 功率元件的高溫離子佈植。

主要規格

方式高溫離子佈植
適用晶圓尺寸150 mm/200 mm
能量中電流機(VIISta 900 系列)
主要用途SiC 功率元件的雜質佈植

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

縱橫角度精度 0.1°(為前一世代的 2 倍)
三重磁鐵的潔淨束線
閉迴路的均勻性量測
整合式高溫佈植(選配)

主要用途

  • finFET・3D 記憶體的精密佈植
  • SiC 功率元件的高溫離子佈植
  • CMOS 影像感測器

製造商與在台據點

在台據點
  • 新竹據點(新竹科學園區):1996 年進駐,技術研發中心
  • 台南據點(台南):製造中心與顯示器設備製造研發中心
  • 林口・台中據點(林口・台中):營運據點

所屬設備分類

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資料來源

  1. 應用材料(Applied Materials)官方產品頁面:Applied Materials VIISta 900 3D
  2. 應用材料(Applied Materials)官方新聞稿:Applied Materials SiC