最後更新:2026年10月23日SiC 功率半導體製造設備

PE2O8的特點與規格

ASM International・SiC 功率半導體製造設備

具備 2 個單片式反應爐的高生產力 SiC 磊晶成長設備。支援 6・8 吋晶圓。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

PE2O8 是 ASM 的 SiC 磊晶成長設備。從電動車、綠色能源到最新的 AI 資料中心,在轉向以更少電力處理更多運算之晶片的過程中,SiC 磊晶扮演重要角色。

具備 2 個精巧的單片式反應爐,實現優異的生產力、高產能與業界最高水準的製程均勻性。反應爐保養簡單快速,可進行包含高溫取放在內、晶圓盒到晶圓盒的全自動運轉。

以橫流熱壁反應爐展現優異的熱控制,採用感應加熱。可處理 6 吋與 8 吋晶圓,並可輕鬆從 PE1O8 移轉製程配方。

主要規格

方式雙腔體 SiC 磊晶(熱壁・橫流)
加熱感應加熱
支援晶圓尺寸6/8 吋

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以雙反應爐實現高生產力
熱壁・橫流
支援 6/8 吋
易於從 PE1O8 移轉配方

主要用途

  • SiC 功率元件的磊晶

製造商

ASM International(總部:荷蘭)

所屬設備分類

相關用語

同分類的其他機型

ASM International的其他機型

資料來源

  1. ASM International 官方產品頁面:ASM PE2O8