IMPHEAT-IIとは
IMPHEAT-II は、日新イオン機器の SiC パワーデバイス向けイオン注入装置です。SiC はシリコンと違って高温で注入しないと結晶ダメージが残りやすいため、ウェーハを加熱しながら注入する装置が使われます。
注入温度は室温から 500°C までをカバーし、4／6／8 インチのウェーハに対応します。高温搬送の信頼性とスループットを強化したモデルで、業界最高の高温スループットをうたっています。
生産性に寄与する大電流の Al+ ビームで、SiC パワーデバイス向けのアルミニウム（Al）注入を行えます。同社の中電流機 EXCEED シリーズをベースにした高信頼性設計で、保守部材の共通化により運用効率も高めています。
主な特長
- •室温〜500°C の高温注入
- •4／6／8 インチウェーハ
- •業界最高の高温スループット
- •大電流 Al+ ビーム
主な仕様
| 方式 | 高温イオン注入（基板温度 500 ℃） |
|---|---|
| 対応ウェハ径 | SiC ウェーハ |
| エネルギー | 最大加速電圧 320 kV・最大 960 keV |
| 主要用途 | SiC パワーデバイスの不純物注入 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
イオン注入：2機種の比較
| 項目 | 日新イオン機器IMPHEAT-II | Applied MaterialsVIISta® 900 3D（ホットイオン注入） |
|---|---|---|
| 方式 | 高温イオン注入（基板温度 500 ℃） | ホットイオン注入 |
| 対応ウェハ径 | SiC ウェーハ | 150 mm／200 mm |
| エネルギー | 最大加速電圧 320 kV・最大 960 keV | 中電流機（VIISta 900 系） |
| 主要用途 | SiC パワーデバイスの不純物注入 | SiC パワーデバイスの不純物注入 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワーデバイスの p 型ドーピング（Al 注入）
掲載カテゴリ
IMPHEAT-IIは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
日新イオン機器
イオン注入装置の専業メーカーとして、中電流・高電流・超高エネルギーイオン注入装置を展開。パワー半導体・CMOS向けドーピング装置で高い技術力を誇る。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06