PE1O6A 與 PE1O8 是 ASM 的單腔體 SiC 磊晶成長設備。具備單片式橫流反應爐,在晶圓上發揮業界最高水準的性能。
以晶圓盒到晶圓盒(cassette to cassette)的全自動運轉,可在高溫狀態下直接取放晶圓。
膜厚控制未滿 1%、摻雜物均勻性未滿 2%,表現優異,成長速度最高 60µm/h。保養間隔長、生產力高,可靠度與再現性也高,且占地面積小。用於功率元件電晶體的 SiC 磊晶。
具備單片式橫流(cross flow)反應爐的 ASM 單腔體 SiC 磊晶成長設備。成長速度最高 60µm/h。
PE1O6A 與 PE1O8 是 ASM 的單腔體 SiC 磊晶成長設備。具備單片式橫流反應爐,在晶圓上發揮業界最高水準的性能。
以晶圓盒到晶圓盒(cassette to cassette)的全自動運轉,可在高溫狀態下直接取放晶圓。
膜厚控制未滿 1%、摻雜物均勻性未滿 2%,表現優異,成長速度最高 60µm/h。保養間隔長、生產力高,可靠度與再現性也高,且占地面積小。用於功率元件電晶體的 SiC 磊晶。
| 方式 | 單片式橫流反應爐的 SiC 磊晶 |
|---|---|
| 均勻性 | 膜厚未滿 1%・摻雜物未滿 2% |
| 成長速度 | 最高 60µm/h |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
ASM International(總部:荷蘭)