最後更新:2026年10月23日SiC 功率半導體製造設備

PE1O6A/PE1O8的特點與規格

ASM International・SiC 功率半導體製造設備

具備單片式橫流(cross flow)反應爐的 ASM 單腔體 SiC 磊晶成長設備。成長速度最高 60µm/h。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

PE1O6A 與 PE1O8 是 ASM 的單腔體 SiC 磊晶成長設備。具備單片式橫流反應爐,在晶圓上發揮業界最高水準的性能。

以晶圓盒到晶圓盒(cassette to cassette)的全自動運轉,可在高溫狀態下直接取放晶圓。

膜厚控制未滿 1%、摻雜物均勻性未滿 2%,表現優異,成長速度最高 60µm/h。保養間隔長、生產力高,可靠度與再現性也高,且占地面積小。用於功率元件電晶體的 SiC 磊晶。

主要規格

方式單片式橫流反應爐的 SiC 磊晶
均勻性膜厚未滿 1%・摻雜物未滿 2%
成長速度最高 60µm/h

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

膜厚均勻性未滿 1%
成長速度 最高 60µm/h
高溫取放

主要用途

  • SiC 功率元件的磊晶

製造商

ASM International(總部:荷蘭)

所屬設備分類

相關用語

同分類的其他機型

ASM International的其他機型

資料來源

  1. ASM International 官方產品頁面:ASM PE1O6A PE1O8