最後更新:2026年10月23日SiC 功率半導體製造設備

UNITY Me+的特點與規格

東京威力科創(TEL)・SiC 功率半導體製造設備

針對 200mm 以下晶圓的乾式蝕刻設備。用於功率元件的 Si/SiC 溝槽加工。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

UNITY Me+ 是東京威力科創(TEL)的乾式蝕刻設備。作為在 200mm 以下晶圓獲得高度評價的 UNITY Me 後繼機種,於2021年推出更新版本。

UNITY 系列在 200mm 量產線上具有高成本效益,近年在功率元件的 Si/SiC 溝槽加工上再度受到矚目。

除了 SiO₂/SiN 加工用的 DRM・SCCM 腔體外,還可搭載 Si/SiC 溝槽加工用的腔體,支援 100・150・200mm 晶圓。除了矽之外,在 SiC 及 LT・LN 等廣泛的化合物晶圓上也有實績。

主要規格

適用晶圓尺寸100/150/200 mm
腔體SCCM(氧化膜)・DRM・UD(Si/SiC 溝槽),1~4 腔
適用基板Si・SiC・玻璃・藍寶石・LN・LT 等

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

支援 100~200mm
Si/SiC 溝槽用腔體
化合物晶圓的實績

主要用途

  • SiC 功率元件的溝槽加工
  • 氧化膜・氮化膜蝕刻

製造商與在台據點

在台據點
  • 台灣東京威力科創(新竹):台灣子公司(1996 年成立)。設有訓練中心,並規劃擴建無塵室
  • 台南營運中心(台南):動工時預計 2024 年下半年完工,樓地板面積約 3.5 萬平方公尺,可容納近千名員工,負責零組件處理、技術服務與維修

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資料來源

  1. 東京威力科創(TEL)官方產品頁面:TEL UNITY