搭載於 Plasma-Therm VERSALINE 平台的 ICP 蝕刻系統，可處理從化合物半導體到金屬・壓電材料的廣泛材料，對應研發至量產。
目錄5 項
- 產品概要
- 主要規格
- 主要特點
- 製造商與在台據點
- 資料來源
產品概要
VERSALINE ICP 是搭載於 Plasma-Therm VERSALINE 平台的 ICP（感應耦合電漿）蝕刻系統。VERSALINE 除 ICP 蝕刻外，也在同一平台上展開深矽蝕刻（DSE）、RIE、離子束蝕刻、PECVD 等。
ICP 源為 2MHz，透過加熱提高製程穩定性、抑制首片效應，並延長清潔間隔。可處理的材料涵蓋 GaAs・InP・GaN 等 III-V 族、II-VI 族、矽系、絕緣膜、聚合物、金屬、金屬氧化物・氮化物及壓電材料，範圍廣泛是其特點。
晶圓對應 50～200mm，也可擴充至 300mm。有單晶圓 Load Lock（LL）架構與晶舟盒叢集（CX）架構，可用於研發至量產。控制採用 Cortex，終點偵測則採用使用光學放射光譜或雷射的 EndpointWorks。
主要規格
| 對應晶圓尺寸 | 50 ～ 200 mm（可擴充至 300 mm） |
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| 方式 | ICP（感應耦合電漿）蝕刻，2 MHz 加熱式 ICP 源 |
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| 腔體架構 | 單晶圓 Load Lock（LL）／晶舟盒叢集（CX） |
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| 對象 | III-V・II-VI 族、Si 系、絕緣膜、金屬、壓電材料等 |
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| 主要用途 | 功率元件・光子學・無線・MEMS・先進封裝 |
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規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
Load Lock（LL）／晶舟盒叢集（CX）2 種架構 Cortex 控制與 EndpointWorks 終點偵測，支援 SECS/GEM 主要用途
- 功率元件・化合物半導體的蝕刻
- 光子學・無線（RF）元件
- MEMS 感測器・先進封裝